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IRF150P221

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: 150V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-247 Package

I[D ](@25°C) max: 186.0A I[D ](@ T[C]=100°C) max: 132.0A Mounting: THT P[tot] max: 341.0W P[tot](@ T[A]=25°C) max: 3.8W Package: TO-247 Polarity: N Q[G](typ @10V): 80.0nC Q[gd]: 16.0nC R[DS (on)](@10V) max: 4.5mΩ R[thJC] max: 0.44K/W R[thJA] max: 40.0K/W T[j] max: 175.0°C V[DS] max: 150.0V V[GS] max: 20.0V I[Dpuls] max: 507.0A Q[G] max: 100.0nC V[GS(th)] max: 4.6V Operating Temperature max: 175.0°C Budgetary Price €/1k: 2.64

IRFP4229

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: 250V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-247 package

Mounting: THT Polarity: N P[tot] max: 310.0W R[thJC] max: 0.49K/W V[GS] max: 30.0V T[j] max: 175.0°C Package: TO-247 Q[gd]: 26.0nC V[DS] max: 250.0V R[DS (on)](@10V) max: 46.0mΩ V[GS(th)]: 4.0V Q[G](typ @10V): 72.0nC I[D ](@25°C) max: 44.0A Operating Temperature max: 175.0°C Battery voltage: 144-200 V Budgetary Price €/1k: 1.43

IRF150P220

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: 150V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-247 Package

I[D ](@25°C) max: 203.0A I[D ](@ T[C]=100°C) max: 224.0A Mounting: THT P[tot] max: 556.0W P[tot](@ T[A]=25°C) max: 3.8W Package: TO-247 Polarity: N Q[G](typ @10V): 160.0nC Q[gd]: 32.0nC R[DS (on)](@10V) max: 2.7mΩ R[thJC] max: 0.27K/W R[thJA] max: 40.0K/W T[j] max: 175.0°C V[DS] max: 150.0V V[GS] max: 20.0V I[Dpuls] max: 812.0A Q[G] max: 200.0nC V[GS(th)] max: 4.6V Operating Temperature max: 175.0°C Battery voltage: 72-96 V Budgetary Price €/1k: 4.06

IRFP4332

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: 250V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-247 package

Package: TO-247 Polarity: N P[tot] max: 360.0W Q[gd]: 35.0nC R[thJC] max: 0.42K/W T[j] max: 175.0°C V[DS] max: 250.0V V[GS] max: 30.0V Mounting: THT R[DS (on)](@10V) max: 33.0mΩ V[GS(th)]: 4.0V Q[G](typ @10V): 99.0nC I[D ](@25°C) max: 57.0A Operating Temperature max: 175.0°C Budgetary Price €/1k: 1.91

IRFP4321

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: 150V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-247 package

Mounting: THT Package: TO-247 Polarity: N Q[gd]: 21.0nC T[j] max: 175.0°C V[DS] max: 150.0V P[tot] max: 310.0W R[thJC] max: 0.49K/W V[GS] max: 30.0V R[DS (on)](@10V) max: 15.5mΩ V[GS(th)]: 4.0V Q[G](typ @10V): 71.0nC I[D ](@25°C) max: 78.0A Operating Temperature max: 175.0°C Budgetary Price €/1k: 1.62

IPTG025N10NM5

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance

I[D ](@25°C) max: 206.0A Package: TOLG (HSOG-8) Polarity: N Q[G](typ @10V): 96.0nC R[DS (on)](@10V) max: 2.5mΩ V[DS] max: 100.0V V[GS(th)]: 3.0V Operating Temperature max: 175.0°C Budgetary Price €/1k: 1.78

IPTG039N15NM5

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 5 power MOSFET 150 V in TOLG package for higher thermal cycling on board performance

I[D ](@25°C) max: 190.0A I[D ] max: 190.0A I[Dpuls] max: 760.0A Operating Temperature max: 175.0°C P[tot] max: 319.0W Package: TOLG (HSOG-8) Polarity: N Q[G](typ @10V): 74.0nC Q[G]: 74.0nC R[DS (on)](@10V) max: 3.9mΩ R[DS (on)] max: 3.9mΩ V[DS] max: 150.0V V[GS(th)]: 3.8V Battery voltage: 72-96 V Budgetary Price €/1k: 2.54

IPTG063N15NM5

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 5 power MOSFET 150 V in TOLG package for higher thermal cycling on board performance

I[D ](@25°C) max: 122.0A I[D ] max: 122.0A I[Dpuls] max: 488.0A Operating Temperature max: 175.0°C P[tot] max: 214.0W Package: TOLG (HSOG-8) Polarity: N Q[G]: 50.0nC Q[G](typ @10V): 50.0nC R[DS (on)](@10V) max: 6.3mΩ R[DS (on)] max: 6.3mΩ V[DS] max: 150.0V V[GS(th)]: 3.8V Budgetary Price €/1k: 1.92

IPTG018N10NM5

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance

I[D ](@25°C) max: 273.0A Package: TOLG (HSOG-8) Polarity: N Q[G](typ @10V): 122.0nC R[DS (on)](@10V) max: 1.8mΩ V[DS] max: 100.0V V[GS(th)]: 3.0V Operating Temperature max: 175.0°C Budgetary Price €/1k: 1.69

IPTG014N10NM5

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance

I[D ](@25°C) max: 366.0A I[Dpuls] max: 1464.0A Mounting: SMT P[tot] max: 375.0W Package: TOLG (HSOG-8) Pin Count: 8.0Pins Polarity: N Q[G](typ @10V): 169.0nC R[DS (on)](@10V) max: 1.4mΩ V[DS] max: 100.0V V[GS(th)]: 3.0V Operating Temperature max: 175.0°C Battery voltage: 48-72 V Budgetary Price €/1k: 2.02