FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11.1A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 16 毫欧 @ 7A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 59 nC @ 8 V Vgs（最大值）: ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2760 pF @ 15 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 1.9W（Ta） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: U-DFN2020-6（E 类） 封装/外壳: 6-PowerUDFN

FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 14A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 9mOhm @ 10A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.5V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 28 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1686 pF @ 15 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 1W（Ta） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: U-DFN2020-6（E 类） 封装/外壳: 6-PowerUDFN

FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 14A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 9mOhm @ 10A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.5V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 28 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1686 pF @ 15 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 1W（Ta） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: U-DFN2020-6（E 类） 封装/外壳: 6-PowerUDFN

FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.5A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 32 毫欧 @ 4.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 950mV @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 22.1 nC @ 4.5 V Vgs（最大值）: ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1820 pF @ 10 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 490mW（Ta），4.15W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-236AB 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3