IXTY32P05T
制造商: IXYS分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 50 V 32A（Tc） 83W（Tc） TO-252AA
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 32A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 39 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 46 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1975 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 83W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252AA
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
BSS123LT1G
制造商: ONSEMI数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 100 V 170mA（Ta） 225mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 170mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.6V @ 1mA
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 20 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 225mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
BSS123
制造商: ONSEMI数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 100 V 170mA 350mW（Ta） SOT-23-3
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 170mA
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 5 欧姆 @ 200mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 1.8 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 14 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 350mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-23-3
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
BSS123IXTSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 100 V 190mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT-23-3
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 190mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6 欧姆 @ 190mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.8V @ 13µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 0.63 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 15 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 500mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-SOT-23-3
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
BSS123,215
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 100 V 150mA（Ta） 250mW（Ta） TO-236AB
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 150mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6 欧姆 @ 120mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.8V @ 1mA
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 40 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 250mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-236AB
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
BSS123L
制造商: ONSEMI数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 100 V 170mA（Ta） 360mW（Ta） SOT-23-3
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 170mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6 欧姆 @ 170mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 2.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 21.5 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 360mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-23-3
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
BSS123LT7G
制造商: ONSEMI数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 100 V 170mA（Tj） 225mW（Ta）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 170mA（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.6V @ 1mA
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 20 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 225mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: -
封装/外壳: -
BSS123W
制造商: ONSEMI数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 100 V 170mA（Ta） 200mW（Ta） SOT-323
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 170mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6 欧姆 @ 170mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 1mA
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 71 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 200mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-323
封装/外壳: SC-70，SOT-323
IAUMN04S7N005GAUMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 40 V 250A（Tj） 240W（Tc） PG-HSOG-4-1
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 250A（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 7V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 0.5 毫欧 @ 125A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V @ 140µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 185 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 12674 pF @ 20 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 240W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-HSOG-4-1
封装/外壳: 4-PowerSFN
SIDR500EP-T1-RE3
制造商: VISHAY SILICONIX数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 30 V 94A（Ta），421A（Tc） 7.5W（Ta），150W（Tc） PowerPAK® SO-8DC
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 94A（Ta），421A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 0.47 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 180 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: +16V，-12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 8960 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 7.5W（Ta），150W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PowerPAK® SO-8DC
封装/外壳: PowerPAK® SO-8