HT8KE5HTB1
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: MOSFET - 阵列 100V 2.5A（Ta），6.5A（Tc） 2W（Ta），13W（Tc） 表面贴装型 8-HSOP
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: 2 N-通道（双）
FET 功能: -
漏源电压（Vdss）: 100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.5A（Ta），6.5A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 210 毫欧 @ 2.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 3.7nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 105pF @ 50V
功率 - 最大值: 2W（Ta），13W（Tc）
工作温度: 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商器件封装: 8-HSOP
HT8MC5TB1
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: MOSFET - 阵列 60V 3.5A（Ta），10A（Tc），4A（Ta），11.5A（Tc） 2W（Ta），13W（Tc） 表面贴装型 8-HSMT（3.2x3）
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: N 和 P 沟道
FET 功能: -
漏源电压（Vdss）: 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.5A（Ta），10A（Tc），4A（Ta），11.5A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 90 毫欧 @ 3.5A，10V，97 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 3.1nC @ 10V，17.1nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 135pF @ 30V
功率 - 最大值: 2W（Ta），13W（Tc）
工作温度: 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerVDFN
供应商器件封装: 8-HSMT（3.2x3）
HT8MB5TB1
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: MOSFET - 阵列 40V 5A（Ta），12A（Tc），6A（Ta），15A（Tc） 2W（Ta），13W（Tc） 表面贴装型 8-HSMT（3.2x3）
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: N 和 P 沟道
FET 功能: -
漏源电压（Vdss）: 40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5A（Ta），12A（Tc），6A（Ta），15A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 47 毫欧 @ 5A，10V，44 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 3.5nC @ 10V，16.7nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 150pF @ 20V
功率 - 最大值: 2W（Ta），13W（Tc）
工作温度: 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerVDFN
供应商器件封装: 8-HSMT（3.2x3）