DMP3035SFG-7
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 30 V 8.5A（Ta） 950mW（Ta） POWERDI3333-8
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 20 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 17 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1633 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 950mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: POWERDI3333-8
封装/外壳: 8-PowerVDFN
STL42N65M5
制造商: STMICROELECTRONICS数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 650 V 4A（Ta），34A（Tc） 3W（Ta），208W（Tc） PowerFlat™（8x8）HV
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4A（Ta），34A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 79 毫欧 @ 16.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 100 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4650 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3W（Ta），208W（Tc）
工作温度: 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PowerFlat™（8x8）HV
封装/外壳: 4-PowerVDFN
STW42N65M5
制造商: STMICROELECTRONICS分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 650 V 33A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 33A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 79 毫欧 @ 16.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 100 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4650 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 190W（Tc）
工作温度: 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247-3
封装/外壳: TO-247-3
TW015Z65C,S1F
制造商: TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 650 V 100A（Tc） 342W（Tc） TO-247-4L（X）
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 22 毫欧 @ 50A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 11.7mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 128 nC @ 18 V
Vgs（最大值）: +25V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4850 pF @ 400 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 342W（Tc）
工作温度: 175°C
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247-4L（X）
封装/外壳: TO-247-4
TW015N65C,S1F
制造商: TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 650 V 100A（Tc） 342W（Tc） TO-247
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 21 毫欧 @ 50A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 11.7mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 128 nC @ 18 V
Vgs（最大值）: +25V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4850 pF @ 400 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 342W（Tc）
工作温度: 175°C
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247
封装/外壳: TO-247-3
TW015N120C,S1F
制造商: TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 1200 V 100A（Tc） 431W（Tc） TO-247
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 20 毫欧 @ 50A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 11.7mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 158 nC @ 18 V
Vgs（最大值）: +25V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 6000 pF @ 800 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 431W（Tc）
工作温度: 175°C
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247
封装/外壳: TO-247-3
TW015Z120C,S1F
制造商: TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 1200 V 100A（Tc） 431W（Tc） TO-247-4L（X）
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 21 毫欧 @ 50A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 11.7mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 158 nC @ 18 V
Vgs（最大值）: +25V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 6000 pF @ 800 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 431W（Tc）
工作温度: 175°C
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247-4L（X）
封装/外壳: TO-247-4
STWA67N60DM6
制造商: STMICROELECTRONICS分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 600 V 58A（Tc） 431W（Tc） TO-247 长引线
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 58A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 54 毫欧 @ 23.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.75V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 72.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3400 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 431W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247 长引线
封装/外壳: TO-247-3
IPT009N08NM6ATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 80 V 43A（Ta），425A（Tc） 3.8W（Ta），375W（Tc） PG-HSOF-8-1
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 43A（Ta），425A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 0.95 毫欧 @ 150A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.5V @ 278µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 186 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 13000 pF @ 40 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3.8W（Ta），375W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-HSOF-8-1
封装/外壳: 8-PowerSFN
NX3020NAKS,115
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: MOSFET - 阵列 30V 180mA 375mW 表面贴装型 6-TSSOP
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: 2 N-通道（双）
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压（Vdss）: 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 180mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 4.5 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 0.44nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 13pF @ 10V
功率 - 最大值: 375mW
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装: 6-TSSOP