DMPH1006UPS-13
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 12 V 80A（Tc） 3.2W PowerDI5060-8
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6 毫欧 @ 15A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 124 nC @ 8 V
Vgs（最大值）: ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 6334 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3.2W
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PowerDI5060-8
封装/外壳: 8-PowerTDFN
DMP22M2UPS-13
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 20 V 60A（Tc） 2.3W（Ta） PowerDI5060-8（K 类）
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 2.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 2.5 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 476 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 12826 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 2.3W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PowerDI5060-8（K 类）
封装/外壳: 8-PowerTDFN
DMC1017UPD-13
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: MOSFET - 阵列 12V 13A（Ta），9.4A（Ta） 2.3W 表面贴装型 PowerDI5060-8
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: N 和 P 沟道互补型
FET 功能: -
漏源电压（Vdss）: 12V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13A（Ta），9.4A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 17 毫欧 @ 11.8A，4.5V，32 毫欧 @ 8.9A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 18.6nC @ 4.5V，23.7nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1787pF @ 6V，2100pF @ 6V
功率 - 最大值: 2.3W
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商器件封装: PowerDI5060-8
DMPH3010LPS-13
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 30 V 60A（Tc） 2.6W（Ta） PowerDI5060-8
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 7.5 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 139 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 6807 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 2.6W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PowerDI5060-8
封装/外壳: 8-PowerTDFN
DMPH3010LPSQ-13
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 30 V 60A（Tc） 2.6W（Ta） PowerDI5060-8
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 7.5 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 139 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 6807 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 2.6W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PowerDI5060-8
封装/外壳: 8-PowerTDFN
DMPH4015SPS-13
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 40 V 50A（Tc） 2.6W（Ta） PowerDI5060-8
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 11 毫欧 @ 9.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 91 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4234 pF @ 20 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 2.6W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PowerDI5060-8
封装/外壳: 8-PowerTDFN
G65P06D5
制造商: GOFORD SEMICONDUCTOR数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 60 V 65A（Tc） 104W（Tc） 8-DFN（4.9x5.75）
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 65A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 18 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 75 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 6138 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 104W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-DFN（4.9x5.75）
封装/外壳: 8-PowerTDFN
DMC4047LSD-13
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: MOSFET - 阵列 40V 7A，5.1A 1.3W 表面贴装型 8-SO
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: N 和 P 沟道
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压（Vdss）: 40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7A，5.1A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 24 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 19.1nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1060pF @ 20V
功率 - 最大值: 1.3W
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装: 8-SO
ZXMC3F31DN8TA
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: MOSFET - 阵列 30V 6.8A，4.9A 1.8W 表面贴装型 8-SO
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: N 和 P 沟道
FET 功能: 逻辑电平栅极，4.5V 驱动
漏源电压（Vdss）: 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.8A，4.9A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 24 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 12.9nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 608pF @ 15V
功率 - 最大值: 1.8W
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装: 8-SO
DMC4029SSD-13
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: MOSFET - 阵列 40V 9A（Ta），6.5A（Ta） 1.8W（Ta） 表面贴装型 8-SO
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: N 和 P 沟道互补型
FET 功能: -
漏源电压（Vdss）: 40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9A（Ta），6.5A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 24 毫欧 @ 6A，10V，45 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 8.8nC @ 4.5V，10.6nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1060pF @ 20V，1154pF @ 20V
功率 - 最大值: 1.8W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装: 8-SO