IRF40H210
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 40 V 100A（Tc） 125W（Tc） 8-PQFN（5x6）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.7 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.7V @ 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 152 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 5406 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 125W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-PQFN（5x6）
封装/外壳: 8-PowerVDFN
IPW60R125CFD7XKSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 600 V 18A（Tc） 92W（Tc） PG-TO247-3
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 125 毫欧 @ 7.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V @ 390µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 36 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1503 pF @ 400 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 92W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO247-3
封装/外壳: TO-247-3
IPT007N06NATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 60 V 300A（Tc） 375W（Tc） PG-HSOF-8-1
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 300A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 0.75 毫欧 @ 150A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.3V @ 280µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 287 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 16000 pF @ 30 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 375W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-HSOF-8-1
封装/外壳: 8-PowerSFN
IRFR220NTRLPBF
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 200 V 5A（Tc） 43W（Tc）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 600 毫欧 @ 2.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 23 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 300 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 43W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252AA (DPAK)
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TK100A10N1,S4X
制造商: TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 100 V 100A（Tc） 45W（Tc） TO-220SIS
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 3.8 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 140 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 8800 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 45W（Tc）
工作温度: 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220SIS
封装/外壳: TO-220-3 整包
SI2301HE3-TP
制造商: MCC (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS)数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 20 V 2.4A（Ta） 1.1W（Tj） SOT-23
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 100 毫欧 @ 2.4A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 5.3 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）: ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 418 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1.1W（Tj）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-23
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SI2301HDS-T1-GE3
制造商: VISHAY SILICONIX数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 20 V 2.3A（Ta），3.1A（Tc） 860mW（Ta），1.6W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.3A（Ta），3.1A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 112 毫欧 @ 2.8A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 10 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）: ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 405 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 860mW（Ta），1.6W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
2301H
制造商: GOFORD SEMICONDUCTOR数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 30 V 2.8A（Tc） 890mW（Tc） SOT-23-3
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 75 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 4.5 nC @ 2.5 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 366 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 890mW（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-23-3
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3