AG162FNS4FRATCB
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 80 V 79A（Tc） 75W（Tc） HPLF5060T5LSAH
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 79A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 12 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 15.2 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 960 pF @ 40 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 75W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: HPLF5060T5LSAH
封装/外壳: SC-100，SOT-669
RH7G04BBJFRATCB
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 40 V 40A（Ta） 75W（Tc） DFN3333T8LSAB
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 40A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 11.9mOhm @ 20A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 1.7mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 50 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: +5V，-20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2670 pF @ 20 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 75W（Tc）
工作温度: 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DFN3333T8LSAB
封装/外壳: 8-PowerTDFN
AG042FGS4FRATCB
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 40 V 120A（Tc） 75W（Tc） HPLF5060T5LSAH
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 4.4 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 19.1 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1050 pF @ 20 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 75W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: HPLF5060T5LSAH
封装/外壳: SC-100，SOT-669
AG046FLS4FRATCB
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 60 V 120A（Tc） 125W（Tc） HPLF5060T5LSAH
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 3.3 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 296µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 42 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3090 pF @ 30 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 125W（Tc）
工作温度: 175°C
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: HPLF5060T5LSAH
封装/外壳: SC-100，SOT-669
AG051FPS4FRATCB
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 100 V 120A（Tc） 125W（Tc） HPLF5060T5LSAH
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 7.2 毫欧 @ 120A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 4.8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 37 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2010 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 125W（Tc）
工作温度: 175°C
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: HPLF5060T5LSAH
封装/外壳: SC-100，SOT-669
AG161FNS4FRATCB
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 80 V 120A（Tc） 125W（Tc） HPLF5060T5LSAH
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 4.2 毫欧 @ 120A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 44 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2880 pF @ 40 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 125W（Tc）
工作温度: 175°C
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: HPLF5060T5LSAH
封装/外壳: SC-100，SOT-669
AG540EGS4FRATCB
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 40 V 120A（Tc） 150W（Tc） HPLF5060T5LSAH
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 4.6 毫欧 @ 120A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 1.7mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 130 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: +5V，-20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 6750 pF @ 20 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 150W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: HPLF5060T5LSAH
封装/外壳: SC-100，SOT-669
APT56M50B2
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 500 V 56A（Tc） 780W（Tc） T-MAX™
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 56A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 100 毫欧 @ 28A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 220 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 8800 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 780W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: T-MAX™
封装/外壳: TO-247-3 变式
APT75M50B2
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 500 V 75A（Tc） 1040W（Tc） T-MAX™
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 75A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 75 毫欧 @ 37A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 290 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 11600 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1040W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: T-MAX™
封装/外壳: TO-247-3 变式
APT31M100B2
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 1000 V 32A（Tc） 1040W（Tc） T-MAX™ [B2]
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 32A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 380 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 260 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 8500 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1040W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: T-MAX™ [B2]
封装/外壳: TO-247-3 变式