MSR830AGC-1512
制造商: MOSYS, INC.数据:
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器
描述: 1T-SRAM 存储器 IC 1Gb 并联 1.25 GHz 2.7 ns 676-BGA（27x27）
DigiKey 可编程: 未验证
存储器类型: 易失
存储器格式: SRAM
技术: 1T-SRAM
存储容量: 1Gb
存储器组织: 16M x 72
存储器接口: 并联
时钟频率: 1.25 GHz
写周期时间 - 字，页: -
访问时间: 2.7 ns
电压 - 供电: 1V
工作温度: 0°C ~ 85°C（TC）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 676-BGA
供应商器件封装: 676-BGA（27x27）
GD25LQ128EWIGR
制造商: GIGADEVICE ELECTRONICS SINGAPORE PTE.LTD.数据:
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器
描述: FLASH - NOR 存储器 IC 128Mb SPI - 四 I/O 120 MHz 7 ns 8-WSON（5x6）
DigiKey 可编程: 未验证
存储器类型: 非易失
存储器格式: 闪存
技术: FLASH - NOR
存储容量: 128Mb
存储器组织: 16M x 8
存储器接口: SPI - 四 I/O
时钟频率: 120 MHz
写周期时间 - 字，页: 60µs，2.4ms
访问时间: 7 ns
电压 - 供电: 1.65V ~ 2V
工作温度: -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-WDFN 祼焊盘
供应商器件封装: 8-WSON（5x6）
SST39SF010A-70-4I-NHE
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY数据:
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器
描述: 闪存 存储器 IC 1Mb 并联 70 ns 32-PLCC（11.43x13.97）
DigiKey 可编程: 已验证
存储器类型: 非易失
存储器格式: 闪存
技术: 闪存
存储容量: 1Mb
存储器组织: 128K x 8
存储器接口: 并联
写周期时间 - 字，页: 20µs
访问时间: 70 ns
电压 - 供电: 4.5V ~ 5.5V
工作温度: -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 32-LCC（J 形引线）
供应商器件封装: 32-PLCC（11.43x13.97）
BR24G512FVT-5AE2
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器
描述: EEPROM 存储器 IC 512Kb I2C 1 MHz 8-TSSOP-B
DigiKey 可编程: 未验证
存储器类型: 非易失
存储器格式: EEPROM
技术: EEPROM
存储容量: 512Kb
存储器组织: 64K x 8
存储器接口: I2C
时钟频率: 1 MHz
写周期时间 - 字，页: 3.5ms
电压 - 供电: 1.6V ~ 5.5V
工作温度: -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）
供应商器件封装: 8-TSSOP-B
CY62147EV30LL-45ZSXI
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES数据:
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器
描述: SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb 并联 45 ns 44-TSOP II
DigiKey 可编程: 未验证
存储器类型: 易失
存储器格式: SRAM
技术: SRAM - 异步
存储容量: 4Mb
存储器组织: 256K x 16
存储器接口: 并联
写周期时间 - 字，页: 45ns
访问时间: 45 ns
电压 - 供电: 2.2V ~ 3.6V
工作温度: -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 44-TSOP（0.400，10.16mm 宽）
供应商器件封装: 44-TSOP II
CY62147EV30LL-45ZSXIT
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES数据:
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器
描述: SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb 并联 45 ns 44-TSOP II
DigiKey 可编程: 未验证
存储器类型: 易失
存储器格式: SRAM
技术: SRAM - 异步
存储容量: 4Mb
存储器组织: 256K x 16
存储器接口: 并联
写周期时间 - 字，页: 45ns
访问时间: 45 ns
电压 - 供电: 2.2V ~ 3.6V
工作温度: -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 44-TSOP（0.400，10.16mm 宽）
供应商器件封装: 44-TSOP II
CY62147GN18-55BVXI
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器
描述: SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb 并联 55 ns 48-VFBGA（6x8）
DigiKey 可编程: 未验证
存储器类型: 易失
存储器格式: SRAM
技术: SRAM - 异步
存储容量: 4Mb
存储器组织: 256K x 16
存储器接口: 并联
写周期时间 - 字，页: 55ns
访问时间: 55 ns
电压 - 供电: 1.65V ~ 2.2V
工作温度: -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 48-VFBGA
供应商器件封装: 48-VFBGA（6x8）
CY62147GN18-55BVXIT
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器
描述: SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb 并联 55 ns 48-VFBGA（6x8）
DigiKey 可编程: 未验证
存储器类型: 易失
存储器格式: SRAM
技术: SRAM - 异步
存储容量: 4Mb
存储器组织: 256K x 16
存储器接口: 并联
写周期时间 - 字，页: 55ns
访问时间: 55 ns
电压 - 供电: 1.65V ~ 2.2V
工作温度: -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 48-VFBGA
供应商器件封装: 48-VFBGA（6x8）
S27KS0642GABHB023
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器
描述: PSRAM（伪 SRAM） 存储器 IC 64Mbit HyperBus 200 MHz 35 ns 24-FBGA（6x8）
DigiKey 可编程: 未验证
存储器类型: 易失
存储器格式: PSRAM
技术: PSRAM（伪 SRAM）
存储容量: 64Mbit
存储器组织: 8M x 8
存储器接口: HyperBus
时钟频率: 200 MHz
写周期时间 - 字，页: 35ns
访问时间: 35 ns
电压 - 供电: 1.7V ~ 2V
工作温度: -40°C ~ 105°C（TA）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 24-VBGA
供应商器件封装: 24-FBGA（6x8）
IS62LV256AL-20TLI-TR
制造商: ISSI, INTEGRATED SILICON SOLUTION INC分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器
描述: SRAM - 异步 存储器 IC 256Kb 并联 20 ns 28-TSOP I
DigiKey 可编程: 未验证
存储器类型: 易失
存储器格式: SRAM
技术: SRAM - 异步
存储容量: 256Kb
存储器组织: 32K x 8
存储器接口: 并联
写周期时间 - 字，页: 20ns
访问时间: 20 ns
电压 - 供电: 3V ~ 3.6V
工作温度: -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 28-TSSOP（0.465，11.80mm 宽）
供应商器件封装: 28-TSOP I