IS62LV256AL-20TLI
制造商: ISSI, INTEGRATED SILICON SOLUTION INC分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器
描述: SRAM - 异步 存储器 IC 256Kb 并联 20 ns 28-TSOP I
DigiKey 可编程: 未验证
存储器类型: 易失
存储器格式: SRAM
技术: SRAM - 异步
存储容量: 256Kb
存储器组织: 32K x 8
存储器接口: 并联
写周期时间 - 字，页: 20ns
访问时间: 20 ns
电压 - 供电: 3V ~ 3.6V
工作温度: -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 28-TSSOP（0.465，11.80mm 宽）
供应商器件封装: 28-TSOP I
IS62WV25616EALL-55TLI-TR
制造商: ISSI, INTEGRATED SILICON SOLUTION INC分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器
描述: SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb 并联 55 ns 44-TSOP II
DigiKey 可编程: 未验证
存储器类型: 易失
存储器格式: SRAM
技术: SRAM - 异步
存储容量: 4Mb
存储器组织: 256K x 16
存储器接口: 并联
写周期时间 - 字，页: 55ns
访问时间: 55 ns
电压 - 供电: 1.65V ~ 2.2V
工作温度: -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 44-TSOP（0.400，10.16mm 宽）
供应商器件封装: 44-TSOP II
IS62WV25616EALL-55TLI
制造商: ISSI, INTEGRATED SILICON SOLUTION INC分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器
描述: SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb 并联 55 ns 44-TSOP II
DigiKey 可编程: 未验证
存储器类型: 易失
存储器格式: SRAM
技术: SRAM - 异步
存储容量: 4Mb
存储器组织: 256K x 16
存储器接口: 并联
写周期时间 - 字，页: 55ns
访问时间: 55 ns
电压 - 供电: 1.65V ~ 2.2V
工作温度: -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 44-TSOP（0.400，10.16mm 宽）
供应商器件封装: 44-TSOP II
IS42S32200L-7BLI-TR
制造商: ISSI, INTEGRATED SILICON SOLUTION INC分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器
描述: SDRAM 存储器 IC 64Mbit 并联 143 MHz 5.4 ns 90-TFBGA（8x13）
DigiKey 可编程: 未验证
存储器类型: 易失
存储器格式: DRAM
技术: SDRAM
存储容量: 64Mbit
存储器组织: 2M x 32
存储器接口: 并联
时钟频率: 143 MHz
写周期时间 - 字，页: -
访问时间: 5.4 ns
电压 - 供电: 3V ~ 3.6V
工作温度: -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 90-TFBGA
供应商器件封装: 90-TFBGA（8x13）
MX30LF1G28AD-TI
制造商: MACRONIX数据:
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器
描述: FLASH - NAND（SLC） 存储器 IC 1Gb 并联 48-TSOP
DigiKey 可编程: 未验证
存储器类型: 非易失
存储器格式: 闪存
技术: FLASH - NAND（SLC）
存储容量: 1Gb
存储器组织: 128M x 8
存储器接口: 并联
写周期时间 - 字，页: 20ns
电压 - 供电: 2.7V ~ 3.6V
工作温度: -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
供应商器件封装: 48-TSOP
S25FL512SAGMFAR13
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器
描述: FLASH - NOR 存储器 IC 512Mb SPI - 四 I/O 133 MHz 16-SOIC
DigiKey 可编程: 未验证
存储器类型: 非易失
存储器格式: 闪存
技术: FLASH - NOR
存储容量: 512Mb
存储器组织: 64M x 8
存储器接口: SPI - 四 I/O
时钟频率: 133 MHz
写周期时间 - 字，页: -
电压 - 供电: 2.7V ~ 3.6V
工作温度: -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 16-SOIC（0.295，7.50mm 宽）
供应商器件封装: 16-SOIC
S25FL256SDSBHB213
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器
描述: FLASH - NOR 存储器 IC 256Mb SPI - 四 I/O 80 MHz 24-BGA（8x6）
DigiKey 可编程: 未验证
存储器类型: 非易失
存储器格式: 闪存
技术: FLASH - NOR
存储容量: 256Mb
存储器组织: 32M x 8
存储器接口: SPI - 四 I/O
时钟频率: 80 MHz
写周期时间 - 字，页: -
电压 - 供电: 2.7V ~ 3.6V
工作温度: -40°C ~ 105°C（TA）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q100
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 24-TBGA
供应商器件封装: 24-BGA（8x6）
S29GL256P11FFIV23
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器
描述: FLASH - NOR 存储器 IC 256Mb 并联 110 ns 64-FBGA（13x11）
DigiKey 可编程: 未验证
存储器类型: 非易失
存储器格式: 闪存
技术: FLASH - NOR
存储容量: 256Mb
存储器组织: 32M x 8
存储器接口: 并联
写周期时间 - 字，页: 110ns
访问时间: 110 ns
电压 - 供电: 1.65V ~ 3.6V
工作温度: -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 64-LBGA
供应商器件封装: 64-FBGA（13x11）
S29GL256P11TFIV10
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器
描述: FLASH - NOR 存储器 IC 256Mb 并联 110 ns 56-TSOP
DigiKey 可编程: 未验证
存储器类型: 非易失
存储器格式: 闪存
技术: FLASH - NOR
存储容量: 256Mb
存储器组织: 32M x 8
存储器接口: 并联
写周期时间 - 字，页: 110ns
访问时间: 110 ns
电压 - 供电: 1.65V ~ 3.6V
工作温度: -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 56-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
供应商器件封装: 56-TSOP
GD25S512MDFIGR
制造商: GIGADEVICE ELECTRONICS SINGAPORE PTE.LTD.数据:
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器
描述: FLASH - NOR 存储器 IC 512Mb SPI - 四 I/O 104 MHz 16-SOP
DigiKey 可编程: 未验证
存储器类型: 非易失
存储器格式: 闪存
技术: FLASH - NOR
存储容量: 512Mb
存储器组织: 64M x 8
存储器接口: SPI - 四 I/O
时钟频率: 104 MHz
写周期时间 - 字，页: 50µs，2.4ms
电压 - 供电: 2.7V ~ 3.6V
工作温度: -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 16-SOIC（0.295，7.50mm 宽）
供应商器件封装: 16-SOP