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TLE2081CDR


分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 模拟集成电路 / 放大器 / 运算放大器

描述: J-FET 放大器 1 电路 8-SOIC

放大器类型: J-FET 电路数: 1 输出类型: - 压摆率: 45V/µs 增益带宽积: 10 MHz 电流 - 输入偏置: 20 pA 电压 - 输入补偿: 490 µV 电流 - 供电: 1.7mA 电流 - 输出/通道: 48 mA 电压 - 跨度（最小值）: 4.5 V 电压 - 跨度（最大值）: 38 V 工作温度: 0°C ~ 70°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 8-SOIC

TLE2081CP


数据:
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 模拟集成电路 / 放大器 / 运算放大器

描述: J-FET 放大器 1 电路 8-PDIP

放大器类型: J-FET 电路数: 1 输出类型: - 压摆率: 45V/µs 增益带宽积: 10 MHz 电流 - 输入偏置: 20 pA 电压 - 输入补偿: 490 µV 电流 - 供电: 1.7mA 电流 - 输出/通道: 48 mA 电压 - 跨度（最小值）: 4.5 V 电压 - 跨度（最大值）: 38 V 工作温度: 0°C ~ 70°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: 8-DIP（0.300，7.62mm） 供应商器件封装: 8-PDIP

TLE2081IP


分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 模拟集成电路 / 放大器 / 运算放大器

描述: J-FET 放大器 1 电路 8-PDIP

放大器类型: J-FET 电路数: 1 输出类型: - 压摆率: 45V/µs 增益带宽积: 10 MHz 电流 - 输入偏置: 20 pA 电压 - 输入补偿: 490 µV 电流 - 供电: 1.7mA 电流 - 输出/通道: 48 mA 电压 - 跨度（最小值）: 4.5 V 电压 - 跨度（最大值）: 38 V 工作温度: -40°C ~ 85°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: 8-DIP（0.300，7.62mm） 供应商器件封装: 8-PDIP

TLE2081ACDR


分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 模拟集成电路 / 放大器 / 运算放大器

描述: J-FET 放大器 1 电路 8-SOIC

放大器类型: J-FET 电路数: 1 输出类型: - 压摆率: 45V/µs 增益带宽积: 10 MHz 电流 - 输入偏置: 20 pA 电压 - 输入补偿: 470 µV 电流 - 供电: 1.7mA 电流 - 输出/通道: 48 mA 电压 - 跨度（最小值）: 4.5 V 电压 - 跨度（最大值）: 38 V 工作温度: 0°C ~ 70°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 8-SOIC

TLE2081AIP


分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 模拟集成电路 / 放大器 / 运算放大器

描述: J-FET 放大器 1 电路 8-PDIP

放大器类型: J-FET 电路数: 1 输出类型: - 压摆率: 45V/µs 增益带宽积: 10 MHz 电流 - 输入偏置: 20 pA 电压 - 输入补偿: 470 µV 电流 - 供电: 1.7mA 电流 - 输出/通道: 48 mA 电压 - 跨度（最小值）: 4.5 V 电压 - 跨度（最大值）: 38 V 工作温度: -40°C ~ 85°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: 8-DIP（0.300，7.62mm） 供应商器件封装: 8-PDIP

TLE2081IDR


分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 模拟集成电路 / 放大器 / 运算放大器

描述: J-FET 放大器 1 电路 8-SOIC

放大器类型: J-FET 电路数: 1 输出类型: - 压摆率: 45V/µs 增益带宽积: 10 MHz 电流 - 输入偏置: 20 pA 电压 - 输入补偿: 490 µV 电流 - 供电: 1.7mA 电流 - 输出/通道: 48 mA 电压 - 跨度（最小值）: 4.5 V 电压 - 跨度（最大值）: 38 V 工作温度: -40°C ~ 85°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 8-SOIC

TLE2081AID


数据:
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 模拟集成电路 / 放大器 / 运算放大器

描述: J-FET 放大器 1 电路 8-SOIC

放大器类型: J-FET 电路数: 1 输出类型: - 压摆率: 45V/µs 增益带宽积: 10 MHz 电流 - 输入偏置: 20 pA 电压 - 输入补偿: 470 µV 电流 - 供电: 1.7mA 电流 - 输出/通道: 48 mA 电压 - 跨度（最小值）: 4.5 V 电压 - 跨度（最大值）: 38 V 工作温度: -40°C ~ 85°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 8-SOIC

TLE2081ID


分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 模拟集成电路 / 放大器 / 运算放大器

描述: J-FET 放大器 1 电路 8-SOIC

放大器类型: J-FET 电路数: 1 输出类型: - 压摆率: 45V/µs 增益带宽积: 10 MHz 电流 - 输入偏置: 20 pA 电压 - 输入补偿: 490 µV 电流 - 供电: 1.7mA 电流 - 输出/通道: 48 mA 电压 - 跨度（最小值）: 4.5 V 电压 - 跨度（最大值）: 38 V 工作温度: -40°C ~ 85°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 8-SOIC

TLE2081ACP


分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 模拟集成电路 / 放大器 / 运算放大器

描述: J-FET 放大器 1 电路 8-PDIP

放大器类型: J-FET 电路数: 1 输出类型: - 压摆率: 45V/µs 增益带宽积: 10 MHz 电流 - 输入偏置: 20 pA 电压 - 输入补偿: 470 µV 电流 - 供电: 1.7mA 电流 - 输出/通道: 48 mA 电压 - 跨度（最小值）: 4.5 V 电压 - 跨度（最大值）: 38 V 工作温度: 0°C ~ 70°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: 8-DIP（0.300，7.62mm） 供应商器件封装: 8-PDIP

TLE2081ACD


分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 模拟集成电路 / 放大器 / 运算放大器

描述: J-FET 放大器 1 电路 8-SOIC

放大器类型: J-FET 电路数: 1 输出类型: - 压摆率: 45V/µs 增益带宽积: 10 MHz 电流 - 输入偏置: 20 pA 电压 - 输入补偿: 470 µV 电流 - 供电: 1.7mA 电流 - 输出/通道: 48 mA 电压 - 跨度（最小值）: 4.5 V 电压 - 跨度（最大值）: 38 V 工作温度: 0°C ~ 70°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 8-SOIC