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S29GL256P11TFIV10

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: FLASH - NOR 存储器 IC 256Mb 并联 110 ns 56-TSOP

DigiKey 可编程: 未验证 存储器类型: 非易失 存储器格式: 闪存 技术: FLASH - NOR 存储容量: 256Mb 存储器组织: 32M x 8 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: 110ns 访问时间: 110 ns 电压 - 供电: 1.65V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 56-TFSOP（0.724，18.40mm 宽） 供应商器件封装: 56-TSOP

GD25S512MDFIGR

制造商: GIGADEVICE ELECTRONICS SINGAPORE PTE.LTD.
数据:
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: FLASH - NOR 存储器 IC 512Mb SPI - 四 I/O 104 MHz 16-SOP

DigiKey 可编程: 未验证 存储器类型: 非易失 存储器格式: 闪存 技术: FLASH - NOR 存储容量: 512Mb 存储器组织: 64M x 8 存储器接口: SPI - 四 I/O 时钟频率: 104 MHz 写周期时间 - 字，页: 50µs，2.4ms 电压 - 供电: 2.7V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 16-SOIC（0.295，7.50mm 宽） 供应商器件封装: 16-SOP

S25FL512SAGMFIG11

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
数据:
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: FLASH - NOR 存储器 IC 512Mb SPI - 四 I/O 133 MHz 16-SOIC

DigiKey 可编程: 未验证 存储器类型: 非易失 存储器格式: 闪存 技术: FLASH - NOR 存储容量: 512Mb 存储器组织: 64M x 8 存储器接口: SPI - 四 I/O 时钟频率: 133 MHz 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 2.7V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 16-SOIC（0.295，7.50mm 宽） 供应商器件封装: 16-SOIC

S26KS256SDABHI030

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: FLASH - NOR 存储器 IC 256Mb HyperBus 100 MHz 96 ns 24-FBGA（6x8）

DigiKey 可编程: 未验证 存储器类型: 非易失 存储器格式: 闪存 技术: FLASH - NOR 存储容量: 256Mb 存储器组织: 32M x 8 存储器接口: HyperBus 时钟频率: 100 MHz 写周期时间 - 字，页: - 访问时间: 96 ns 电压 - 供电: 1.7V ~ 1.95V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 24-VBGA 供应商器件封装: 24-FBGA（6x8）

S25FL128SAGMFI013

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
数据:
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: FLASH - NOR 存储器 IC 128Mb SPI - 四 I/O 133 MHz 16-SOIC

DigiKey 可编程: 已验证 存储器类型: 非易失 存储器格式: 闪存 技术: FLASH - NOR 存储容量: 128Mb 存储器组织: 16M x 8 存储器接口: SPI - 四 I/O 时钟频率: 133 MHz 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 2.7V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 16-SOIC（0.295，7.50mm 宽） 供应商器件封装: 16-SOIC

S29GL512T10FAI020

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: FLASH - NOR 存储器 IC 512Mb 并联 100 ns 64-FBGA（13x11）

DigiKey 可编程: 未验证 存储器类型: 非易失 存储器格式: 闪存 技术: FLASH - NOR 存储容量: 512Mb 存储器组织: 64M x 8 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: 60ns 访问时间: 100 ns 电压 - 供电: 2.7V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 64-LBGA 供应商器件封装: 64-FBGA（13x11）

CY62167GE30-45ZXI

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: SRAM - 异步 存储器 IC 16Mb 并联 45 ns 48-TSOP I

DigiKey 可编程: 未验证 存储器类型: 易失 存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 异步 存储容量: 16Mb 存储器组织: 2M x 8，1M x 16 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: 45ns 访问时间: 45 ns 电压 - 供电: 2.2V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽） 供应商器件封装: 48-TSOP I

CY62167GE30-45ZXIT

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: SRAM - 异步 存储器 IC 16Mb 并联 45 ns 48-TSOP I

DigiKey 可编程: 未验证 存储器类型: 易失 存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 异步 存储容量: 16Mb 存储器组织: 2M x 8，1M x 16 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: 45ns 访问时间: 45 ns 电压 - 供电: 2.2V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽） 供应商器件封装: 48-TSOP I

S28HS256TGZBHB810


数据:
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器 / 快闪存储器(Flash)
Family: HS-T Interface Frequency (SDR/DDR)(MHz): 166 / 200 Interface Bandwidth: 400.0MByte/s Interfaces: Octal Qualification: Automotive Classification: ISO 26262-compliant Lead Ball Finish: Sn/Ag/Cu Peak Reflow Temp: 260.0°C Operating Temperature max: 105.0°C Operating Voltage: 1.8V Density: 256.0MBit Currently planned availability until at least: 2035

S28HS256TGZBHM010


数据:
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器 / 快闪存储器(Flash)
Family: HS-T Interface Frequency (SDR/DDR)(MHz): 166 / 200 Interface Bandwidth: 400.0MByte/s Interfaces: Octal Qualification: Automotive Classification: ISO 26262-compliant Lead Ball Finish: Sn/Ag/Cu Peak Reflow Temp: 260.0°C Operating Temperature max: 125.0°C Operating Voltage: 1.8V Density: 256.0MBit Currently planned availability until at least: 2035