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S27KS0642GABHB023

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: PSRAM（伪 SRAM） 存储器 IC 64Mbit HyperBus 200 MHz 35 ns 24-FBGA（6x8）

DigiKey 可编程: 未验证 存储器类型: 易失 存储器格式: PSRAM 技术: PSRAM（伪 SRAM） 存储容量: 64Mbit 存储器组织: 8M x 8 存储器接口: HyperBus 时钟频率: 200 MHz 写周期时间 - 字，页: 35ns 访问时间: 35 ns 电压 - 供电: 1.7V ~ 2V 工作温度: -40°C ~ 105°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 24-VBGA 供应商器件封装: 24-FBGA（6x8）

IS62LV256AL-20TLI-TR

制造商: ISSI, INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: SRAM - 异步 存储器 IC 256Kb 并联 20 ns 28-TSOP I

DigiKey 可编程: 未验证 存储器类型: 易失 存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 异步 存储容量: 256Kb 存储器组织: 32K x 8 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: 20ns 访问时间: 20 ns 电压 - 供电: 3V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 28-TSSOP（0.465，11.80mm 宽） 供应商器件封装: 28-TSOP I

IS62LV256AL-20TLI

制造商: ISSI, INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: SRAM - 异步 存储器 IC 256Kb 并联 20 ns 28-TSOP I

DigiKey 可编程: 未验证 存储器类型: 易失 存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 异步 存储容量: 256Kb 存储器组织: 32K x 8 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: 20ns 访问时间: 20 ns 电压 - 供电: 3V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 28-TSSOP（0.465，11.80mm 宽） 供应商器件封装: 28-TSOP I

IS62WV25616EALL-55TLI-TR

制造商: ISSI, INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb 并联 55 ns 44-TSOP II

DigiKey 可编程: 未验证 存储器类型: 易失 存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 异步 存储容量: 4Mb 存储器组织: 256K x 16 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: 55ns 访问时间: 55 ns 电压 - 供电: 1.65V ~ 2.2V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 44-TSOP（0.400，10.16mm 宽） 供应商器件封装: 44-TSOP II

IS62WV25616EALL-55TLI

制造商: ISSI, INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb 并联 55 ns 44-TSOP II

DigiKey 可编程: 未验证 存储器类型: 易失 存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 异步 存储容量: 4Mb 存储器组织: 256K x 16 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: 55ns 访问时间: 55 ns 电压 - 供电: 1.65V ~ 2.2V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 44-TSOP（0.400，10.16mm 宽） 供应商器件封装: 44-TSOP II

IS42S32200L-7BLI-TR

制造商: ISSI, INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: SDRAM 存储器 IC 64Mbit 并联 143 MHz 5.4 ns 90-TFBGA（8x13）

DigiKey 可编程: 未验证 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM 存储容量: 64Mbit 存储器组织: 2M x 32 存储器接口: 并联 时钟频率: 143 MHz 写周期时间 - 字，页: - 访问时间: 5.4 ns 电压 - 供电: 3V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 90-TFBGA 供应商器件封装: 90-TFBGA（8x13）

MX30LF1G28AD-TI

制造商: MACRONIX
数据:
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: FLASH - NAND（SLC） 存储器 IC 1Gb 并联 48-TSOP

DigiKey 可编程: 未验证 存储器类型: 非易失 存储器格式: 闪存 技术: FLASH - NAND（SLC） 存储容量: 1Gb 存储器组织: 128M x 8 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: 20ns 电压 - 供电: 2.7V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽） 供应商器件封装: 48-TSOP

S25FL512SAGMFAR13

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: FLASH - NOR 存储器 IC 512Mb SPI - 四 I/O 133 MHz 16-SOIC

DigiKey 可编程: 未验证 存储器类型: 非易失 存储器格式: 闪存 技术: FLASH - NOR 存储容量: 512Mb 存储器组织: 64M x 8 存储器接口: SPI - 四 I/O 时钟频率: 133 MHz 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 2.7V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 16-SOIC（0.295，7.50mm 宽） 供应商器件封装: 16-SOIC

S25FL256SDSBHB213

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: FLASH - NOR 存储器 IC 256Mb SPI - 四 I/O 80 MHz 24-BGA（8x6）

DigiKey 可编程: 未验证 存储器类型: 非易失 存储器格式: 闪存 技术: FLASH - NOR 存储容量: 256Mb 存储器组织: 32M x 8 存储器接口: SPI - 四 I/O 时钟频率: 80 MHz 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 2.7V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 105°C（TA） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q100 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 24-TBGA 供应商器件封装: 24-BGA（8x6）

S29GL256P11FFIV23

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: FLASH - NOR 存储器 IC 256Mb 并联 110 ns 64-FBGA（13x11）

DigiKey 可编程: 未验证 存储器类型: 非易失 存储器格式: 闪存 技术: FLASH - NOR 存储容量: 256Mb 存储器组织: 32M x 8 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: 110ns 访问时间: 110 ns 电压 - 供电: 1.65V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 64-LBGA 供应商器件封装: 64-FBGA（13x11）