天天芯片 - 物料搜索

MSR820AJC288-12

制造商: MOSYS, INC.
数据:
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: 1T-SRAM 存储器 IC 576Mb 并联 1.25 GHz 2.6 ns 324-PBGA（19x19）

DigiKey 可编程: 未验证存储器类型: 易失存储器格式: SRAM 技术: 1T-SRAM 存储容量: 576Mb 存储器组织: 8M x 72 存储器接口: 并联时钟频率: 1.25 GHz 写周期时间 - 字，页: - 访问时间: 2.6 ns 电压 - 供电: 0.95V 工作温度: 0°C ~ 85°C（TC）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: 324-BGA 供应商器件封装: 324-PBGA（19x19）

MSR630AGC-1512

制造商: MOSYS, INC.
数据:
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: 1T-SRAM 存储器 IC 1.152Gb 并联 1.25 GHz 2.7 ns 676-BGA（27x27）

DigiKey 可编程: 未验证存储器类型: 易失存储器格式: SRAM 技术: 1T-SRAM 存储容量: 1.152Gb 存储器组织: 16M x 72 存储器接口: 并联时钟频率: 1.25 GHz 写周期时间 - 字，页: - 访问时间: 2.7 ns 电压 - 供电: 1V 工作温度: 0°C ~ 85°C（TC）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: 676-BGA 供应商器件封装: 676-BGA（27x27）

MSR830AGC-1512

制造商: MOSYS, INC.
数据:
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: 1T-SRAM 存储器 IC 1Gb 并联 1.25 GHz 2.7 ns 676-BGA（27x27）

DigiKey 可编程: 未验证存储器类型: 易失存储器格式: SRAM 技术: 1T-SRAM 存储容量: 1Gb 存储器组织: 16M x 72 存储器接口: 并联时钟频率: 1.25 GHz 写周期时间 - 字，页: - 访问时间: 2.7 ns 电压 - 供电: 1V 工作温度: 0°C ~ 85°C（TC）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: 676-BGA 供应商器件封装: 676-BGA（27x27）

GD25LQ128EWIGR

制造商: GIGADEVICE ELECTRONICS SINGAPORE PTE.LTD.
数据:
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: FLASH - NOR 存储器 IC 128Mb SPI - 四 I/O 120 MHz 7 ns 8-WSON（5x6）

DigiKey 可编程: 未验证存储器类型: 非易失存储器格式: 闪存技术: FLASH - NOR 存储容量: 128Mb 存储器组织: 16M x 8 存储器接口: SPI - 四 I/O 时钟频率: 120 MHz 写周期时间 - 字，页: 60µs，2.4ms 访问时间: 7 ns 电压 - 供电: 1.65V ~ 2V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: 8-WDFN 祼焊盘供应商器件封装: 8-WSON（5x6）

SST39SF010A-70-4I-NHE

制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY
数据:
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: 闪存存储器 IC 1Mb 并联 70 ns 32-PLCC（11.43x13.97）

DigiKey 可编程: 已验证存储器类型: 非易失存储器格式: 闪存技术: 闪存存储容量: 1Mb 存储器组织: 128K x 8 存储器接口: 并联写周期时间 - 字，页: 20µs 访问时间: 70 ns 电压 - 供电: 4.5V ~ 5.5V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: 32-LCC（J 形引线）供应商器件封装: 32-PLCC（11.43x13.97）

BR24G512FVT-5AE2

制造商: ROHM SEMICONDUCTOR
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: EEPROM 存储器 IC 512Kb I2C 1 MHz 8-TSSOP-B

DigiKey 可编程: 未验证存储器类型: 非易失存储器格式: EEPROM 技术: EEPROM 存储容量: 512Kb 存储器组织: 64K x 8 存储器接口: I2C 时钟频率: 1 MHz 写周期时间 - 字，页: 3.5ms 电压 - 供电: 1.6V ~ 5.5V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: 8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）供应商器件封装: 8-TSSOP-B

CY62147EV30LL-45ZSXI

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
数据:
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: SRAM - 异步存储器 IC 4Mb 并联 45 ns 44-TSOP II

DigiKey 可编程: 未验证存储器类型: 易失存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 异步存储容量: 4Mb 存储器组织: 256K x 16 存储器接口: 并联写周期时间 - 字，页: 45ns 访问时间: 45 ns 电压 - 供电: 2.2V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: 44-TSOP（0.400，10.16mm 宽）供应商器件封装: 44-TSOP II

CY62147EV30LL-45ZSXIT

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
数据:
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: SRAM - 异步存储器 IC 4Mb 并联 45 ns 44-TSOP II

CY62147GN18-55BVXI

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: SRAM - 异步存储器 IC 4Mb 并联 55 ns 48-VFBGA（6x8）

DigiKey 可编程: 未验证存储器类型: 易失存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 异步存储容量: 4Mb 存储器组织: 256K x 16 存储器接口: 并联写周期时间 - 字，页: 55ns 访问时间: 55 ns 电压 - 供电: 1.65V ~ 2.2V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: 48-VFBGA 供应商器件封装: 48-VFBGA（6x8）

CY62147GN18-55BVXIT

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: SRAM - 异步存储器 IC 4Mb 并联 55 ns 48-VFBGA（6x8）