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MT25QL128ABA1ESE-0SIT

制造商: MICRON TECHNOLOGY INC.
数据:
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: FLASH - NOR 存储器 IC 128Mb SPI - 四 I/O 133 MHz 8-SO

DigiKey 可编程: 已验证 存储器类型: 非易失 存储器格式: 闪存 技术: FLASH - NOR 存储容量: 128Mb 存储器组织: 16M x 8 存储器接口: SPI - 四 I/O 时钟频率: 133 MHz 写周期时间 - 字，页: 8ms，2.8ms 电压 - 供电: 2.7V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-SOIC（0.209，5.30mm 宽） 供应商器件封装: 8-SO

S25FS128SAGNFV100

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: FLASH - NOR 存储器 IC 128Mb SPI - 四 I/O，QPI 133 MHz 8-WSON（5x6）

DigiKey 可编程: 未验证 存储器类型: 非易失 存储器格式: 闪存 技术: FLASH - NOR 存储容量: 128Mb 存储器组织: 16M x 8 存储器接口: SPI - 四 I/O，QPI 时钟频率: 133 MHz 写周期时间 - 字，页: 2ms 电压 - 供电: 1.7V ~ 2V 工作温度: -40°C ~ 105°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-WDFN 祼焊盘 供应商器件封装: 8-WSON（5x6）

S29GL512S11DHAV23

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: FLASH - NOR 存储器 IC 512Mb 并联 110 ns 64-FBGA（9x9）

DigiKey 可编程: 未验证 存储器类型: 非易失 存储器格式: 闪存 技术: FLASH - NOR 存储容量: 512Mb 存储器组织: 32M x 16 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: 60ns 访问时间: 110 ns 电压 - 供电: 1.65V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 64-LBGA 供应商器件封装: 64-FBGA（9x9）

MT29F16G08CBACAWP:CTR

制造商: MICRON TECHNOLOGY INC.
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: 闪存 - NAND 存储器 IC 16Gb 并联 48-TSOP I

DigiKey 可编程: 未验证 存储器类型: 非易失 存储器格式: 闪存 技术: 闪存 - NAND 存储容量: 16Gb 存储器组织: 2G x 8 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 2.7V ~ 3.6V 工作温度: 0°C ~ 70°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽） 供应商器件封装: 48-TSOP I

MT25QU02GCBB8E12-0AAT

制造商: MICRON TECHNOLOGY INC.
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: FLASH - NOR 存储器 IC 2Gb SPI - 四 I/O 133 MHz 24-T-PBGA（6x8）

DigiKey 可编程: 未验证 存储器类型: 非易失 存储器格式: 闪存 技术: FLASH - NOR 存储容量: 2Gb 存储器组织: 256M x 8 存储器接口: SPI - 四 I/O 时钟频率: 133 MHz 写周期时间 - 字，页: 8ms，2.8ms 电压 - 供电: 1.7V ~ 2V 工作温度: -40°C ~ 105°C（TC） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q100 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 24-TBGA 供应商器件封装: 24-T-PBGA（6x8）

MT29F2G01ABAGD12-AAT:G

制造商: MICRON TECHNOLOGY INC.
数据:
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: 闪存 - NAND 存储器 IC 2Gb SPI 83 MHz 24-T-PBGA（6x8）

DigiKey 可编程: 已验证 存储器类型: 非易失 存储器格式: 闪存 技术: 闪存 - NAND 存储容量: 2Gb 存储器组织: 2G x 1 存储器接口: SPI 时钟频率: 83 MHz 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 2.7V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 105°C（TC） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 24-TBGA 供应商器件封装: 24-T-PBGA（6x8）

MT29F2G01ABAGD12-AAT:GTR

制造商: MICRON TECHNOLOGY INC.
数据:
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: 闪存 - NAND 存储器 IC 2Gb SPI 83 MHz 24-T-PBGA（6x8）

DigiKey 可编程: 已验证 存储器类型: 非易失 存储器格式: 闪存 技术: 闪存 - NAND 存储容量: 2Gb 存储器组织: 2G x 1 存储器接口: SPI 时钟频率: 83 MHz 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 2.7V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 105°C（TC） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 24-TBGA 供应商器件封装: 24-T-PBGA（6x8）

MT29F4G01ABAFD12-AAT:FTR

制造商: MICRON TECHNOLOGY INC.
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: 闪存 - NAND 存储器 IC 4Gb SPI 24-T-PBGA（6x8）

DigiKey 可编程: 未验证 存储器类型: 非易失 存储器格式: 闪存 技术: 闪存 - NAND 存储容量: 4Gb 存储器组织: 4G x 1 存储器接口: SPI 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 2.7V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 105°C（TC） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q100 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 24-TBGA 供应商器件封装: 24-T-PBGA（6x8）

MSR622AJC288-12

制造商: MOSYS, INC.
数据:
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: 1T-SRAM 存储器 IC 576Mb 并联 1.25 GHz 2.6 ns 324-PBGA（19x19）

DigiKey 可编程: 未验证 存储器类型: 易失 存储器格式: SRAM 技术: 1T-SRAM 存储容量: 576Mb 存储器组织: 8M x 72 存储器接口: 并联 时钟频率: 1.25 GHz 访问时间: 2.6 ns 电压 - 供电: 0.95V 工作温度: 0°C ~ 85°C（TC） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 324-BGA 供应商器件封装: 324-PBGA（19x19）

MT25QU02GCBB8E12-0AATTR

制造商: MICRON TECHNOLOGY INC.
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: FLASH - NOR 存储器 IC 2Gb SPI - 四 I/O 133 MHz 24-T-PBGA（6x8）

DigiKey 可编程: 未验证 存储器类型: 非易失 存储器格式: 闪存 技术: FLASH - NOR 存储容量: 2Gb 存储器组织: 256M x 8 存储器接口: SPI - 四 I/O 时钟频率: 133 MHz 写周期时间 - 字，页: 8ms，2.8ms 电压 - 供电: 1.7V ~ 2V 工作温度: -40°C ~ 105°C（TC） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q100 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 24-TBGA 供应商器件封装: 24-T-PBGA（6x8）