N01S830HAT22E

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器 / 静态随机存储器(SRAM)

描述: 串行 SRAM 存储器,1 Mb,超低功耗,2.5 至 5.5 V

状态: 已停产 Compliance: Pb A H P Type: Serial Density: 1 Mb Organization (bits): 128k x 8 fcycle Max (MHz): 20 VCC Min (V): 2.5 VCC Max (V): 5.5 Istandby Typ (µA): 4 Package Type: TSSOP-8 MSL Type: 3 MSL Temp (°C): 260 ON Target: No 参考价格: Price N/A

N25S818HAS21I

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器 / 静态随机存储器(SRAM)

描述: 串行 SRAM 内存,256-kb,1.8 V

状态: 量产中 Compliance: Pb A H P Type: Serial Density: 256 kb Organization (bits): 32k x 8 fcycle Max (MHz): 16 VCC Min (V): 1.7 VCC Max (V): 1.95 Istandby Typ (µA): 0.2 Package Type: SOIC-8 MSL Type: 3 MSL Temp (°C): 260 ON Target: Yes 参考价格: $1.1259

N25S818HAT21I

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器 / 静态随机存储器(SRAM)

描述: 串行 SRAM 内存,256-kb,1.8 V

状态: 量产中 Compliance: Pb A H P Type: Serial Density: 256 kb Organization (bits): 32k x 8 fcycle Max (MHz): 16 VCC Min (V): 1.7 VCC Max (V): 1.95 Istandby Typ (µA): 0.2 Package Type: TSSOP-8 MSL Type: 3 MSL Temp (°C): 260 ON Target: Yes 参考价格: $1.1259

N25S830HAS22I

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器 / 静态随机存储器(SRAM)

描述: 串行 SRAM 内存,256-kb,3.0 V

状态: 量产中 Compliance: Pb A H P Type: Serial Density: 256 kb Organization (bits): 32k x 8 fcycle Max (MHz): 20 VCC Min (V): 2.7 VCC Max (V): 3.6 Istandby Typ (µA): 1 Package Type: SOIC-8 MSL Type: 3 MSL Temp (°C): 260 ON Target: Yes 参考价格: $1.1259

N25S830HAT22I

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器 / 静态随机存储器(SRAM)

描述: 串行 SRAM 内存,256-kb,3.0 V

状态: 量产中 Compliance: Pb A H P Type: Serial Density: 256 kb Organization (bits): 32k x 8 fcycle Max (MHz): 20 VCC Min (V): 2.7 VCC Max (V): 3.6 Istandby Typ (µA): 1 Package Type: TSSOP-8 MSL Type: 3 MSL Temp (°C): 260 ON Target: Yes 参考价格: $1.1259

N64S818HAT21I

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器 / 静态随机存储器(SRAM)

描述: 串行 SRAM 内存,64-kb,1.8 V

状态: 已停产 Compliance: Pb A H P Type: Serial Density: 64 kb Organization (bits): 8k x 8 fcycle Max (MHz): 16 VCC Min (V): 1.7 VCC Max (V): 1.95 Istandby Typ (µA): 1 Package Type: TSSOP-8 MSL Type: 3 MSL Temp (°C): 260 ON Target: No 参考价格: Price N/A

N64S830HAS22I

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器 / 静态随机存储器(SRAM)

描述: 串行 SRAM 内存,64-kb,3.0 V

状态: 量产中 Compliance: Pb A H P Type: Serial Density: 64 kb Organization (bits): 8k x 8 fcycle Max (MHz): 20 VCC Min (V): 2.7 VCC Max (V): 3.6 Istandby Typ (µA): 1 Package Type: SOIC-8 MSL Type: 3 MSL Temp (°C): 260 ON Target: Yes 参考价格: $1.0491

N64S830HAT22I

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器 / 静态随机存储器(SRAM)

描述: 串行 SRAM 内存,64-kb,3.0 V

状态: 已停产 Compliance: Pb A H P Type: Serial Density: 64 kb Organization (bits): 8k x 8 fcycle Max (MHz): 20 VCC Min (V): 2.7 VCC Max (V): 3.6 Istandby Typ (µA): 1 Package Type: TSSOP-8 MSL Type: 3 MSL Temp (°C): 260 ON Target: No 参考价格: Price N/A
Lead Ball Finish: Sn/Ag/Cu Operating Temperature max: 85.0°C Operating Voltage max: 3.6V Peak Reflow Temp: 260.0°C Interfaces: Parallel Organization (X x Y): 256K x 16 Qualification: Industrial Density: 4.0MBit
Interfaces: Parallel Operating Temperature max: 85.0°C Operating Voltage(VCCQ) max: 3.6V Organization (X x Y): 1Mb x 8 Peak Reflow Temp: 260.0°C Qualification: Industrial Speed: 20.0ns Operating Voltage max: 3.6V Lead Ball Finish: Pure Sn Density: 8.0MBit