BOM上传  搜 索
热门： SMBJ180A AUSMBJ180A-HF P6SMBJ180AJ ASMBJ180A-HF TLE4269G
在线客服

IS62WV1288BLL-55HLI-TR

制造商: ISSI, INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: SRAM - 异步 存储器 IC 1Mb 并联 55 ns 32-sTSOP I

DigiKey 可编程: 未验证 存储器类型: 易失 存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 异步 存储容量: 1Mb 存储器组织: 128K x 8 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: 55ns 访问时间: 55 ns 电压 - 供电: 2.5V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 32-TFSOP（0.465，11.80mm 宽） 供应商器件封装: 32-sTSOP I

CY14B101LA-ZS45XI

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 1Mb 并联 45 ns 44-TSOP II

DigiKey 可编程: 未验证 存储器类型: 非易失 存储器格式: NVSRAM 技术: NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储容量: 1Mb 存储器组织: 128K x 8 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: 45ns 访问时间: 45 ns 电压 - 供电: 2.7V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 44-TSOP（0.400，10.16mm 宽） 供应商器件封装: 44-TSOP II

CY14B101LA-ZS45XIT

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 1Mb 并联 45 ns 44-TSOP II

DigiKey 可编程: 未验证 存储器类型: 非易失 存储器格式: NVSRAM 技术: NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储容量: 1Mb 存储器组织: 128K x 8 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: 45ns 访问时间: 45 ns 电压 - 供电: 2.7V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 44-TSOP（0.400，10.16mm 宽） 供应商器件封装: 44-TSOP II

S25HS01GTFABHB030

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: FLASH - NOR（SLC） 存储器 IC 1Gb SPI - 四 I/O，QPI 166 MHz 24-FBGA（8x8）

DigiKey 可编程: 未验证 存储器类型: 非易失 存储器格式: 闪存 技术: FLASH - NOR（SLC） 存储容量: 1Gb 存储器组织: 128M x 8 存储器接口: SPI - 四 I/O，QPI 时钟频率: 166 MHz 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 1.7V ~ 2V 工作温度: -40°C ~ 105°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 24-VBGA 供应商器件封装: 24-FBGA（8x8）

S29GL128S90TFI010

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: FLASH - NOR 存储器 IC 128Mb 并联 90 ns 56-TSOP

DigiKey 可编程: 已验证 存储器类型: 非易失 存储器格式: 闪存 技术: FLASH - NOR 存储容量: 128Mb 存储器组织: 8M x 16 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: 60ns 访问时间: 90 ns 电压 - 供电: 2.7V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 56-TFSOP（0.724，18.40mm 宽） 供应商器件封装: 56-TSOP

S70GL02GS11FHA013

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: FLASH - NOR 存储器 IC 2Gb 并联 110 ns 64-FBGA（13x11）

DigiKey 可编程: 未验证 存储器类型: 非易失 存储器格式: 闪存 技术: FLASH - NOR 存储容量: 2Gb 存储器组织: 128M x 16 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: - 访问时间: 110 ns 电压 - 供电: 2.7V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 64-LBGA 供应商器件封装: 64-FBGA（13x11）

IS25LP256E-JLLE

制造商: ISSI, INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: FLASH - NOR（SLC） 存储器 IC 256Mb SPI - 四 I/O，QPI，DTR 166 MHz 8-WSON（8x6）

DigiKey 可编程: 未验证 存储器类型: 非易失 存储器格式: 闪存 技术: FLASH - NOR（SLC） 存储容量: 256Mb 存储器组织: 32M x 8 存储器接口: SPI - 四 I/O，QPI，DTR 时钟频率: 166 MHz 写周期时间 - 字，页: 50µs，1ms 电压 - 供电: 2.3V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 105°C（TA） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q100 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-WDFN 祼焊盘 供应商器件封装: 8-WSON（8x6）

IS25LP256E-JLLE-TR

制造商: ISSI, INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: FLASH - NOR（SLC） 存储器 IC 256Mb SPI - 四 I/O，QPI，DTR 166 MHz 8-WSON（8x6）

DigiKey 可编程: 未验证 存储器类型: 非易失 存储器格式: 闪存 技术: FLASH - NOR（SLC） 存储容量: 256Mb 存储器组织: 32M x 8 存储器接口: SPI - 四 I/O，QPI，DTR 时钟频率: 166 MHz 写周期时间 - 字，页: 50µs，1ms 电压 - 供电: 2.3V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 105°C（TA） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q100 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-WDFN 祼焊盘 供应商器件封装: 8-WSON（8x6）

MT25QL128ABA1ESE-0SITTR

制造商: MICRON TECHNOLOGY INC.
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: FLASH - NOR 存储器 IC 128Mb SPI - 四 I/O 133 MHz 8-SO

DigiKey 可编程: 已验证 存储器类型: 非易失 存储器格式: 闪存 技术: FLASH - NOR 存储容量: 128Mb 存储器组织: 16M x 8 存储器接口: SPI - 四 I/O 时钟频率: 133 MHz 写周期时间 - 字，页: 8ms，2.8ms 电压 - 供电: 2.7V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-SOIC（0.209，5.30mm 宽） 供应商器件封装: 8-SO

MT25QL128ABA1ESE-0SIT

制造商: MICRON TECHNOLOGY INC.
数据:
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: FLASH - NOR 存储器 IC 128Mb SPI - 四 I/O 133 MHz 8-SO

DigiKey 可编程: 已验证 存储器类型: 非易失 存储器格式: 闪存 技术: FLASH - NOR 存储容量: 128Mb 存储器组织: 16M x 8 存储器接口: SPI - 四 I/O 时钟频率: 133 MHz 写周期时间 - 字，页: 8ms，2.8ms 电压 - 供电: 2.7V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-SOIC（0.209，5.30mm 宽） 供应商器件封装: 8-SO