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S29GL512S11DHB013

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: FLASH - NOR 存储器 IC 512Mb 并联 110 ns 64-FBGA（9x9）

DigiKey 可编程: 未验证存储器类型: 非易失存储器格式: 闪存技术: FLASH - NOR 存储容量: 512Mb 存储器组织: 32M x 16 存储器接口: 并联写周期时间 - 字，页: 60ns 访问时间: 110 ns 电压 - 供电: 2.7V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 105°C（TA）等级: 汽车级资质: AEC-Q100 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: 64-LBGA 供应商器件封装: 64-FBGA（9x9）

S25HS01GTDPMHI013

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: FLASH - NOR（SLC）存储器 IC 1Gb SPI - 四 I/O，QPI 133 MHz 16-SOIC

DigiKey 可编程: 未验证存储器类型: 非易失存储器格式: 闪存技术: FLASH - NOR（SLC）存储容量: 1Gb 存储器组织: 128M x 8 存储器接口: SPI - 四 I/O，QPI 时钟频率: 133 MHz 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 1.7V ~ 2V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: 16-SOIC（0.295，7.50mm 宽）供应商器件封装: 16-SOIC

S25FL512SDSMFV011

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: FLASH - NOR 存储器 IC 512Mb SPI - 四 I/O 80 MHz 16-SOIC

DigiKey 可编程: 未验证存储器类型: 非易失存储器格式: 闪存技术: FLASH - NOR 存储容量: 512Mb 存储器组织: 64M x 8 存储器接口: SPI - 四 I/O 时钟频率: 80 MHz 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 2.7V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 105°C（TA）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: 16-SOIC（0.295，7.50mm 宽）供应商器件封装: 16-SOIC

CY7C1041GE30-10ZSXIT

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: SRAM - 异步存储器 IC 4Mb 并联 10 ns 44-TSOP II

DigiKey 可编程: 未验证存储器类型: 易失存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 异步存储容量: 4Mb 存储器组织: 256K x 16 存储器接口: 并联写周期时间 - 字，页: 10ns 访问时间: 10 ns 电压 - 供电: 3V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: 44-TSOP（0.400，10.16mm 宽）供应商器件封装: 44-TSOP II

CY7C1041GE30-10ZSXI

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: SRAM - 异步存储器 IC 4Mb 并联 10 ns 44-TSOP II

S70KS1282GABHA020

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: PSRAM（伪 SRAM）存储器 IC 128Mb HyperBus 200 MHz 35 ns 24-FBGA（6x8）

DigiKey 可编程: 未验证存储器类型: 易失存储器格式: PSRAM 技术: PSRAM（伪 SRAM）存储容量: 128Mb 存储器组织: 16M x 8 存储器接口: HyperBus 时钟频率: 200 MHz 写周期时间 - 字，页: 35ns 访问时间: 35 ns 电压 - 供电: 1.7V ~ 2V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: 24-VBGA 供应商器件封装: 24-FBGA（6x8）

S25FL127SABMFI103

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: FLASH - NOR 存储器 IC 128Mb SPI - 四 I/O 108 MHz 8-SOIC

DigiKey 可编程: 未验证存储器类型: 非易失存储器格式: 闪存技术: FLASH - NOR 存储容量: 128Mb 存储器组织: 16M x 8 存储器接口: SPI - 四 I/O 时钟频率: 108 MHz 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 2.7V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: 8-SOIC（0.209，5.30mm 宽）供应商器件封装: 8-SOIC

GD25Q80EEIGR

制造商: GIGADEVICE ELECTRONICS SINGAPORE PTE.LTD.
数据:
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: FLASH - NOR 存储器 IC 8Mb SPI - 四 I/O 133 MHz 7 ns 8-USON（2x3）

DigiKey 可编程: 未验证存储器类型: 非易失存储器格式: 闪存技术: FLASH - NOR 存储容量: 8Mb 存储器组织: 1M x 8 存储器接口: SPI - 四 I/O 时钟频率: 133 MHz 写周期时间 - 字，页: 70µs，2ms 访问时间: 7 ns 电压 - 供电: 2.7V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: 8-XFDFN 祼焊盘供应商器件封装: 8-USON（2x3）

MT28GU01GAAA1EGC-0SITTR

制造商: MICRON TECHNOLOGY INC.
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: FLASH - NOR 存储器 IC 1Gb 并联 133 MHz 96 ns 64-TBGA（10x8）

DigiKey 可编程: 未验证存储器类型: 非易失存储器格式: 闪存技术: FLASH - NOR 存储容量: 1Gb 存储器组织: 64M x 16 存储器接口: 并联时钟频率: 133 MHz 写周期时间 - 字，页: - 访问时间: 96 ns 电压 - 供电: 1.7V ~ 2V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA）等级: 汽车级资质: AEC-Q100 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: 64-TBGA 供应商器件封装: 64-TBGA（10x8）

IS62WV1288BLL-55HLI

制造商: ISSI, INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: SRAM - 异步存储器 IC 1Mb 并联 55 ns 32-sTSOP I

DigiKey 可编程: 未验证存储器类型: 易失存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 异步存储容量: 1Mb 存储器组织: 128K x 8 存储器接口: 并联写周期时间 - 字，页: 55ns 访问时间: 55 ns 电压 - 供电: 2.5V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: 32-TFSOP（0.465，11.80mm 宽）供应商器件封装: 32-sTSOP I