IS49RL36160A-107EBLI

制造商: ISSI, INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: RLDRAM 3 存储器 IC 576Mb 并联 933 MHz 7.5 ns 168-FBGA(13.5x13.5)

DigiKey 可编程: 未验证 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: RLDRAM 3 存储容量: 576Mb 存储器组织: 16M x 36 存储器接口: 并联 时钟频率: 933 MHz 写周期时间 - 字,页: - 访问时间: 7.5 ns 电压 - 供电: 1.28V ~ 1.42V 工作温度: -40°C ~ 95°C(TC) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 168-LBGA 供应商器件封装: 168-FBGA(13.5x13.5)

SST26VF032BT-104ISM

制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY
数据:
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: 闪存 存储器 IC 32Mb SPI - 四 I/O 104 MHz 8-SOIJ

DigiKey 可编程: 已验证 存储器类型: 非易失 存储器格式: 闪存 技术: 闪存 存储容量: 32Mb 存储器组织: 4M x 8 存储器接口: SPI - 四 I/O 时钟频率: 104 MHz 写周期时间 - 字,页: 1.5ms 电压 - 供电: 2.7V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C(TA) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-SOIC(0.209,5.30mm 宽) 供应商器件封装: 8-SOIJ

CY15B104QI-20LPXIT

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: FRAM(铁电体 RAM) 存储器 IC 4Mb SPI 20 MHz 20 ns 8-GQFN(3,23x3,28)

DigiKey 可编程: 未验证 存储器类型: 非易失 存储器格式: FRAM 技术: FRAM(铁电体 RAM) 存储容量: 4Mb 存储器组织: 512K x 8 存储器接口: SPI 时钟频率: 20 MHz 写周期时间 - 字,页: - 访问时间: 20 ns 电压 - 供电: 1.8V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C(TA) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-UQFN 供应商器件封装: 8-GQFN(3,23x3,28)

S29GL128S13FAEV13

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: FLASH - NOR 存储器 IC 128Mb 并联 130 ns 64-FBGA(13x11)

DigiKey 可编程: 未验证 存储器类型: 非易失 存储器格式: 闪存 技术: FLASH - NOR 存储容量: 128Mb 存储器组织: 8M x 16 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字,页: 60ns 访问时间: 130 ns 电压 - 供电: 2.7V ~ 3.6V 工作温度: -55°C ~ 125°C(TA) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 64-LBGA 供应商器件封装: 64-FBGA(13x11)

R1LP5256ESP-5SI#B1

制造商: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: SRAM 存储器 IC 256Kb 并联 55 ns 28-SOP

DigiKey 可编程: 未验证 存储器类型: 易失 存储器格式: SRAM 技术: SRAM 存储容量: 256Kb 存储器组织: 32K x 8 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字,页: 55ns 访问时间: 55 ns 电压 - 供电: 4.5V ~ 5.5V 工作温度: -40°C ~ 85°C(TA) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 28-SOIC(0.330,8.40mm 宽) 供应商器件封装: 28-SOP

W25X40CLSNIGTR

制造商: WINBOND ELECTRONICS
数据:
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: 闪存 存储器 IC 4Mb SPI 104 MHz 8-SOIC

DigiKey 可编程: 已验证 存储器类型: 非易失 存储器格式: 闪存 技术: 闪存 存储容量: 4Mb 存储器组织: 512K x 8 存储器接口: SPI 时钟频率: 104 MHz 写周期时间 - 字,页: 800µs 电压 - 供电: 2.3V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C(TA) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽) 供应商器件封装: 8-SOIC

W25X40CLSNIG

制造商: WINBOND ELECTRONICS
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: 闪存 存储器 IC 4Mb SPI 104 MHz 8-SOIC

DigiKey 可编程: 已验证 存储器类型: 非易失 存储器格式: 闪存 技术: 闪存 存储容量: 4Mb 存储器组织: 512K x 8 存储器接口: SPI 时钟频率: 104 MHz 写周期时间 - 字,页: 800µs 电压 - 供电: 2.3V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C(TA) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽) 供应商器件封装: 8-SOIC

W25Q128JVFIQ

制造商: WINBOND ELECTRONICS
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: FLASH - NOR 存储器 IC 128Mb SPI - 四 I/O,QPI 133 MHz 16-SOIC

DigiKey 可编程: 未验证 存储器类型: 非易失 存储器格式: 闪存 技术: FLASH - NOR 存储容量: 128Mb 存储器组织: 16M x 8 存储器接口: SPI - 四 I/O,QPI 时钟频率: 133 MHz 写周期时间 - 字,页: 3ms 电压 - 供电: 2.7V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C(TA) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 16-SOIC(0.295,7.50mm 宽) 供应商器件封装: 16-SOIC

W25Q128JVFIQTR

制造商: WINBOND ELECTRONICS
数据:
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: FLASH - NOR 存储器 IC 128Mb SPI - 四 I/O,QPI 133 MHz 16-SOIC

DigiKey 可编程: 未验证 存储器类型: 非易失 存储器格式: 闪存 技术: FLASH - NOR 存储容量: 128Mb 存储器组织: 16M x 8 存储器接口: SPI - 四 I/O,QPI 时钟频率: 133 MHz 写周期时间 - 字,页: 3ms 电压 - 供电: 2.7V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C(TA) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 16-SOIC(0.295,7.50mm 宽) 供应商器件封装: 16-SOIC

MT44K16M36RB-107E:ATR

制造商: MICRON TECHNOLOGY INC.
数据:
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: DRAM 存储器 IC 576Mb 并联 933 MHz 8 ns 168-BGA(13.5x13.5)

DigiKey 可编程: 未验证 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: DRAM 存储容量: 576Mb 存储器组织: 16M x 36 存储器接口: 并联 时钟频率: 933 MHz 写周期时间 - 字,页: - 访问时间: 8 ns 电压 - 供电: 1.28V ~ 1.42V 工作温度: 0°C ~ 95°C(TC) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 168-TBGA 供应商器件封装: 168-BGA(13.5x13.5)