天天芯片 - 物料搜索

S80KS2562GABHB020

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: PSRAM（伪 SRAM）存储器 IC 256Mb HyperBus 200 MHz 35 ns 24-FBGA（6x8）

DigiKey 可编程: 未验证存储器类型: 易失存储器格式: PSRAM 技术: PSRAM（伪 SRAM）存储容量: 256Mb 存储器组织: 32M x 8 存储器接口: HyperBus 时钟频率: 200 MHz 写周期时间 - 字，页: 35ns 访问时间: 35 ns 电压 - 供电: 1.7V ~ 2V 工作温度: -40°C ~ 105°C（TA）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: 24-VBGA 供应商器件封装: 24-FBGA（6x8）

IS62C1024AL-35QLI

制造商: ISSI, INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: SRAM - 异步存储器 IC 1Mb 并联 35 ns 32-SOP

DigiKey 可编程: 未验证存储器类型: 易失存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 异步存储容量: 1Mb 存储器组织: 128K x 8 存储器接口: 并联写周期时间 - 字，页: 35ns 访问时间: 35 ns 电压 - 供电: 4.5V ~ 5.5V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: 32-SOIC（0.455，11.30mm 宽）供应商器件封装: 32-SOP

IS62C1024AL-35QLI-TR

制造商: ISSI, INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: SRAM - 异步存储器 IC 1Mb 并联 35 ns 32-SOP

MR45V100AMAZAATL

制造商: ROHM SEMICONDUCTOR
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: FRAM（铁电体 RAM）存储器 IC 1Mb SPI 40 MHz 8-SOP

DigiKey 可编程: 未验证存储器类型: 非易失存储器格式: FRAM 技术: FRAM（铁电体 RAM）存储容量: 1Mb 存储器组织: 128K x 8 存储器接口: SPI 时钟频率: 40 MHz 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 1.8V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装: 8-SOP

CY7C1515KV18-333BZXC

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: SRAM - 同步，QDR II 存储器 IC 72Mb 并联 333 MHz 165-FBGA（13x15）

DigiKey 可编程: 未验证存储器类型: 易失存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 同步，QDR II 存储容量: 72Mb 存储器组织: 2M x 36 存储器接口: 并联时钟频率: 333 MHz 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 1.7V ~ 1.9V 工作温度: 0°C ~ 70°C（TA）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: 165-LBGA 供应商器件封装: 165-FBGA（13x15）

S80KS5123GABHV023

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: PSRAM（伪 SRAM）存储器 IC 512Mb SPI - 八 I/O 200 MHz 35 ns 24-FBGA（6x8）

DigiKey 可编程: 未验证存储器类型: 易失存储器格式: PSRAM 技术: PSRAM（伪 SRAM）存储容量: 512Mb 存储器组织: 64M x 8 存储器接口: SPI - 八 I/O 时钟频率: 200 MHz 写周期时间 - 字，页: 35ns 访问时间: 35 ns 电压 - 供电: 1.7V ~ 2V 工作温度: -40°C ~ 105°C（TA）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: 24-VBGA 供应商器件封装: 24-FBGA（6x8）

S25FL512SAGMFVG11

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
数据:
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: FLASH - NOR 存储器 IC 512Mb SPI - 四 I/O 133 MHz 16-SOIC

DigiKey 可编程: 未验证存储器类型: 非易失存储器格式: 闪存技术: FLASH - NOR 存储容量: 512Mb 存储器组织: 64M x 8 存储器接口: SPI - 四 I/O 时钟频率: 133 MHz 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 2.7V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 105°C（TA）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: 16-SOIC（0.295，7.50mm 宽）供应商器件封装: 16-SOIC

BY25Q16BSSIG(T)

制造商: BYTE SEMICONDUCTOR
数据:
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: FLASH - NOR 存储器 IC 16Mb SPI - 四 I/O，QPI 108 MHz 7 ns 8-SOP

DigiKey 可编程: 已验证存储器类型: 非易失存储器格式: 闪存技术: FLASH - NOR 存储容量: 16Mb 存储器组织: 2M x 8 存储器接口: SPI - 四 I/O，QPI 时钟频率: 108 MHz 写周期时间 - 字，页: 50µs，2.4ms 访问时间: 7 ns 电压 - 供电: 2.7V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: 8-SOIC（0.209，5.30mm 宽）供应商器件封装: 8-SOP

S25FS128SAGBHI200

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: FLASH - NOR 存储器 IC 128Mb SPI - 四 I/O，QPI 133 MHz 24-BGA（8x6）

DigiKey 可编程: 未验证存储器类型: 非易失存储器格式: 闪存技术: FLASH - NOR 存储容量: 128Mb 存储器组织: 16M x 8 存储器接口: SPI - 四 I/O，QPI 时钟频率: 133 MHz 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 1.7V ~ 2V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: 24-TBGA 供应商器件封装: 24-BGA（8x6）

IS61LV5128AL-10TLI-TR

制造商: ISSI, INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
数据:
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: SRAM - 异步存储器 IC 4Mb 并联 10 ns 44-TSOP II

DigiKey 可编程: 未验证存储器类型: 易失存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 异步存储容量: 4Mb 存储器组织: 512K x 8 存储器接口: 并联写周期时间 - 字，页: 10ns 访问时间: 10 ns 电压 - 供电: 3.135V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: 44-TSOP（0.400，10.16mm 宽）供应商器件封装: 44-TSOP II