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C256K81CXC-090AA

制造商: KINGSTON TECHNOLOGY
数据:
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: FLASH - NAND（TLC）存储器 IC 2Tb UFS 3.1 153-FBGA（11.5x13）

存储器类型: 非易失存储器格式: 闪存技术: FLASH - NAND（TLC）存储容量: 2Tb 存储器组织: 256G x 8 存储器接口: UFS 3.1 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 2.4V ~ 2.7V 工作温度: -25°C ~ 85°C（TC）等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: 153-VFBGA 供应商器件封装: 153-FBGA（11.5x13）

FEMC016G-M12

制造商: FLEXXON PTE LTD
数据:
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: FLASH - NAND（MLC）存储器 IC 128Gb eMMC_5.1 200 MHz 153-FBGA（11.5x13）

DigiKey 可编程: 未验证存储器类型: 非易失存储器格式: 闪存技术: FLASH - NAND（MLC）存储容量: 128Gb 存储器组织: 16G x 8 存储器接口: eMMC_5.1 时钟频率: 200 MHz 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 2.7V ~ 3.6V 工作温度: -25°C ~ 85°C 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: 153-VFBGA 供应商器件封装: 153-FBGA（11.5x13）

UFS128-CY14-02N01

制造商: KINGSTON TECHNOLOGY
数据:
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: FLASH - NAND（TLC）存储器 IC 1Tb UFS 3.1 26 MHz 153-FBGA（11.5x13）

存储器类型: 非易失存储器格式: 闪存技术: FLASH - NAND（TLC）存储容量: 1Tb 存储器组织: 128G x 8 存储器接口: UFS 3.1 时钟频率: 26 MHz 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 2.4V ~ 2.7V 工作温度: -25°C ~ 85°C 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: 153-VFBGA 供应商器件封装: 153-FBGA（11.5x13）

EMMC04G-MT32-02D10

制造商: KINGSTON TECHNOLOGY
数据:
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: FLASH - NAND（MLC）存储器 IC 32Gb eMMC_5.1 200 MHz 153-FBGA（11.5x13）

存储器类型: 非易失存储器格式: 闪存技术: FLASH - NAND（MLC）存储容量: 32Gb 存储器组织: 4G x 8 存储器接口: eMMC_5.1 时钟频率: 200 MHz 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 2.7V ~ 3.6V 工作温度: -25°C ~ 85°C 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: 153-WFBGA 供应商器件封装: 153-FBGA（11.5x13）

24AA256UID-IST

制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY
数据:
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: EEPROM 存储器 IC 256Kb I2C 400 kHz 900 ns 8-TSSOP

DigiKey 可编程: 未验证存储器类型: 非易失存储器格式: EEPROM 技术: EEPROM 存储容量: 256Kb 存储器组织: 32K x 8 存储器接口: I2C 时钟频率: 400 kHz 写周期时间 - 字，页: 5ms 访问时间: 900 ns 电压 - 供电: 1.7V ~ 5.5V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: 8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）供应商器件封装: 8-TSSOP

CY62128ELL-55ZAXE

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: SRAM - 异步存储器 IC 1Mb 并联 55 ns 32-sTSOP

DigiKey 可编程: 未验证存储器类型: 易失存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 异步存储容量: 1Mb 存储器组织: 128K x 8 存储器接口: 并联写周期时间 - 字，页: 55ns 访问时间: 55 ns 电压 - 供电: 4.5V ~ 5.5V 工作温度: -40°C ~ 125°C（TA）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: 32-TFSOP（0.465，11.80mm 宽）供应商器件封装: 32-sTSOP

S25FL128LAGNFV010

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
数据:
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: FLASH - NOR 存储器 IC 128Mb SPI - 四 I/O，QPI 133 MHz 8-WSON（5x6）

DigiKey 可编程: 未验证存储器类型: 非易失存储器格式: 闪存技术: FLASH - NOR 存储容量: 128Mb 存储器组织: 16M x 8 存储器接口: SPI - 四 I/O，QPI 时钟频率: 133 MHz 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 2.7V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 105°C（TA）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: 8-WDFN 祼焊盘供应商器件封装: 8-WSON（5x6）

S25HL01GTDPMHA010

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: FLASH - NOR 存储器 IC 1Gb SPI - 四 I/O，QPI 133 MHz 16-SOIC

DigiKey 可编程: 未验证存储器类型: 非易失存储器格式: 闪存技术: FLASH - NOR 存储容量: 1Gb 存储器组织: 128M x 8 存储器接口: SPI - 四 I/O，QPI 时钟频率: 133 MHz 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 2.7V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: 16-SOIC（0.295，7.50mm 宽）供应商器件封装: 16-SOIC

CY62167G-45ZXIT

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: SRAM - 异步存储器 IC 16Mb 并联 45 ns 48-TSOP I

DigiKey 可编程: 未验证存储器类型: 易失存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 异步存储容量: 16Mb 存储器组织: 2M x 8，1M x 16 存储器接口: 并联写周期时间 - 字，页: 45ns 访问时间: 45 ns 电压 - 供电: 4.5V ~ 5.5V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: 48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）供应商器件封装: 48-TSOP I

CY62167G-45ZXI

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: SRAM - 异步存储器 IC 16Mb 并联 45 ns 48-TSOP I