MICROFJ-40035-TSV-TR1

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 光电子器件 / 光电探测器件 / 光电二极管

描述: 硅光电倍增传感器,J 系列 (SiPM)

状态: 量产中 Compliance: Pb A H P Type: Single Array Format: ~NA~ Active Area Dimensions: 4 mm x 4 mm Microcell Size (µm): 35 Optimized Wavelength (nm): 420 PDE @ Max Overvoltage (%): 50 DCR @ Typical Overvoltage (KHz/mm2): 50 Package Type: ODCSP-16 MSL Type: 4 MSL Temp (°C): 260 ON Target: Yes 参考价格: Price N/A

MICROFJ-30020-TSV-TR1

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 光电子器件 / 光电探测器件 / 光电二极管

描述: 硅光电倍增传感器,J 系列 (SiPM)

状态: 生命周期终止 Compliance: Pb A H P Type: Single Array Format: ~NA~ Active Area Dimensions: 3 mm x 3 mm Microcell Size (µm): 20 Optimized Wavelength (nm): 420 PDE @ Max Overvoltage (%): 38 DCR @ Typical Overvoltage (KHz/mm2): 50 Package Type: ODCSP-8 MSL Type: 4 MSL Temp (°C): 260 ON Target: No 参考价格: Price N/A

MICROFJ-60035-TSV-TR1

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 光电子器件 / 光电探测器件 / 光电二极管

描述: 硅光电倍增传感器,J 系列 (SiPM)

状态: 量产中 Compliance: Pb A H P Type: Single Array Format: ~NA~ Active Area Dimensions: 6 mm x 6 mm Microcell Size (µm): 35 Optimized Wavelength (nm): 420 PDE @ Max Overvoltage (%): 50 DCR @ Typical Overvoltage (KHz/mm2): 50 Package Type: ODCSP-36 MSL Type: 4 MSL Temp (°C): 260 ON Target: Yes 参考价格: Price N/A

MICROFJ-40035-TSV-TR

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 光电子器件 / 光电探测器件 / 光电二极管

描述: 硅光电倍增传感器,J 系列 (SiPM)

状态: 量产中 Compliance: Pb A H P Type: Single Array Format: ~NA~ Active Area Dimensions: 4 mm x 4 mm Microcell Size (µm): 35 Optimized Wavelength (nm): 420 PDE @ Max Overvoltage (%): 50 DCR @ Typical Overvoltage (KHz/mm2): 50 Package Type: ODCSP-16 MSL Type: 3 MSL Temp (°C): 260 ON Target: Yes 参考价格: Price N/A

VEMD8080

制造商: VISHAY SEMICONDUCTOR OPTO DIVISION
数据:
分类: 光电子器件 / 光电探测器件 / 光电二极管

描述: 光电二极管 850nm 70ns 130° 8-SMD,无引线

波长: 850nm 颜色 - 增强: - 频谱范围: 350nm ~ 1100nm 二极管类型: 引脚 不同 nm 时响应度: - 响应时间: 70ns 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 20 V 电流 - 暗(典型值): 10nA(最大) 有效面积: 4.5mm² 视角: 130° 工作温度: -40°C ~ 85°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-SMD,无引线
Status: Active Compliance: Pb A H P Type: Array Array Format: 1 x 12 Active Area Dimensions: 1.12 mm x 0.47 mm Microcell Size (µm): 20 Optimized Wavelength (nm): 905 PDE @ Max Overvoltage (%): 16 DCR @ Typical Overvoltage (KHz/mm2): 250 Package Type: QFN-28 MSL Type: 4 MSL Temp (°C): 260 ON Target: Y Reference Price: Price N/A
Status: Active Compliance: Pb A H P Type: Array Array Format: 1 x 12 Active Area Dimensions: 1.12 mm x 0.47 mm Microcell Size (µm): 20 Optimized Wavelength (nm): 905 PDE @ Max Overvoltage (%): 16 DCR @ Typical Overvoltage (KHz/mm2): 250 Package Type: QFN-28 MSL Type: 4 MSL Temp (°C): 260 ON Target: Y Reference Price: Price N/A

MICROFC-10010-SMT-TR

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 光电子器件 / 光电探测器件 / 光电二极管

描述: 硅光电倍增传感器,C 系列 (SiPM)

状态: Active Compliance: Pb A H P Type: Single Array Format: ~NA~ Active Area Dimensions: 1 mm x 1 mm Microcell Size (µm): 10 Optimized Wavelength (nm): 420 PDE @ Max Overvoltage (%): 18 DCR @ Typical Overvoltage (KHz/mm2): 30 Package Type: CWDFN-4 MSL Type: 3 MSL Temp (°C): 260 ON Target: Y Reference Price: Price N/A

100-41-21-231

制造商: ADVANCED PHOTONIX
数据:
分类: 光电子器件 / 光电探测器件 / 光电二极管

描述: 光电二极管 TO-5

颜色 - 增强: 红色 频谱范围: 250nm ~ 1100nm 二极管类型: 引脚 不同 nm 时响应度: 0.64 A/W @ 950nm 电流 - 暗(典型值): 10nA(最大) 有效面积: 5mm² 工作温度: -65°C ~ 125°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-5

BPV11FS

制造商: VISHAY SEMICONDUCTOR OPTO DIVISION
分类: 光电子器件 / 光电探测器件 / 光电二极管

描述: 光电二极管