IDW80C65D2

供应商:

描述: 650 V IGBT silicon power diode in TO-247 package

物料参数

Configuration:Common Cathode
I(FSM):NoneA
IF:40.0A
IR:NoneµA
Irrm:3.6A
Mounting:THT
Operating Temperature:None°C
Ptot:NoneW
Package:TO-247
Qrr:0.18µC
RthJC:NoneK/W
VF:1.6V
trr:68.0ns
Voltage Class:NoneV
价格梯度 价格
1+¥14.4869
包装: 库存:0