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IMBG65R048M1H
制造商:
描述:
SiC MOSFET in compact SMD package
物料参数
Operating Temperature max:
175.0°C
P[tot] max:
183.0W
Polarity:
N
Qualification:
Industrial
R[DS (on)](@ Tj = 25°C):
48.0mΩ
V[DS] max:
650.0V
Technology:
CoolSiC™ G1
Package:
D2PAK 7-pin
I[D ](@25°C) max:
99.0A
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