BSZ097N10NS5

制造商:

分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 5 power MOSFET 100 V in a PQFN 3x3 package

物料参数

R[th]:1.8K/W
V[DS] max:100.0V
P[tot] max:69.0W
I[Dpuls] max:248.0A
Q[G](typ @10V):22.0nC
R[thJC] max:1.8K/W
R[thJA] max:62.0K/W
Pin Count:8.0Pins
Polarity:N
Mounting:SMD
C[iss]:1600.0pF
C[oss]:250.0pF
R[DS (on)](@10V) max:9.7mΩ
Package:PQFN 3.3 x 3.3
I[D ](@25°C) max:62.0A
V[GS(th)]:3.0V
Operating Temperature max:150.0°C
Budgetary Price €/1k:0.53