IGB110S10S1
制造商:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 其他场效应晶体管
描述: CoolGaN™ Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 8 mΩ
物料参数
| VDS: | NoneV |
| Mounting: | SMT |
| ID (@25°C): | NoneA |
| IDpuls(@25°C): | NoneA |
| Generation: | G3 |
| QG: | 3.4nC |
| RDS (on)(typ): | 8.0mΩ |