STMICROELECTRONICS

STV160NF03LAT4

制造商: STMICROELECTRONICS
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

简介: 表面贴装型 N 通道 30 V 160A（Tc） 210W（Tc） 10-PowerSO

FET 类型: N 通道技术: MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）: 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 160A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 3 毫欧 @ 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 160 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±15V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 5350 pF @ 25 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 210W（Tc）工作温度: 175°C（TJ）等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型供应商器件封装: 10-PowerSO 封装/外壳: PowerSO-10 裸露底部焊盘

STW200NF03

制造商: STMICROELECTRONICS
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

简介: 通孔 N 通道 30 V 120A（Tc） 350W（Tc） TO-247-3

FET 类型: N 通道技术: MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）: 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 2.8 毫欧 @ 60A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 280 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 10000 pF @ 25 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 350W（Tc）工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）等级: - 资质: - 安装类型: 通孔供应商器件封装: TO-247-3 封装/外壳: TO-247-3

STV160NF03LT4

制造商: STMICROELECTRONICS
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: 表面贴装型 N 通道 30 V 160A（Tc） 210W（Tc） 10-PowerSO

FET 类型: N 通道技术: MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）: 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 160A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 2.8 毫欧 @ 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 140 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±15V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4700 pF @ 25 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 210W（Tc）工作温度: 175°C（TJ）等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型供应商器件封装: 10-PowerSO 封装/外壳: PowerSO-10 裸露底部焊盘