STMICROELECTRONICS
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 160A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3 毫欧 @ 80A,10V
| 库存数量: |
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.8 毫欧 @ 60A,10V
| 库存数量: |
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 160A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.8 毫欧 @ 80A,10V
| 库存数量: |
| 库存数量: |
DigiKey 可编程: 未验证
核心处理器: ST10
内核规格: 16 位
速度: 64MHz
连接能力: ASC,CANbus,EBI/EMI,I2C,SSC,UART/USART
外设: POR,PWM,WDT
| 库存数量: |
DigiKey 可编程: 未验证
核心处理器: ST10
内核规格: 16 位
速度: 64MHz
连接能力: ASC,CANbus,EBI/EMI,I2C,SSC,UART/USART
外设: POR,PWM,WDT
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