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STMICROELECTRONICS

STI55NF03L

制造商: STMICROELECTRONICS
分类:

简介: 通孔 N 通道 30 V 55A（Tc） 80W（Tc） I2PAK

FET 类型:  N 通道
技术:  MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:  30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):  55A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:  4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:  13 毫欧 @ 27.5A，10V
库存数量:
询 价

STB80NF03L-04T4

制造商: STMICROELECTRONICS
分类:

简介: 表面贴装型 N 通道 30 V 80A（Tc） 300W（Tc） D2PAK

FET 类型:  N 通道
技术:  MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:  30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):  80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:  4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:  4 毫欧 @ 40A，10V
库存数量:
询 价

STD17NF03L-1

制造商: STMICROELECTRONICS
分类:
数据:

简介: 通孔 N 通道 30 V 17A（Tc） 30W（Tc） TO-251（IPAK）

FET 类型:  N 通道
技术:  MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:  30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):  17A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:  5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:  50 毫欧 @ 8.5A，10V
库存数量:
询 价

STD30NF03LT4

制造商: STMICROELECTRONICS
分类:
数据:

简介: 表面贴装型 N 通道 30 V 30A（Tc） 50W（Tc） DPAK

FET 类型:  N 通道
技术:  MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:  30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):  30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:  4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:  25 毫欧 @ 15A，10V
库存数量:
询 价

STB55NF03LT4

制造商: STMICROELECTRONICS
分类:

简介: 表面贴装型 N 通道 30 V 55A（Tc） 80W（Tc） D2PAK

FET 类型:  N 通道
技术:  MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:  30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):  55A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:  4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:  13 毫欧 @ 27.5A，10V
库存数量:
询 价

STP80NF03L

制造商: STMICROELECTRONICS
分类:
数据:

简介: 通孔 N 通道 30 V 80A（Tc） 300W（Tc） TO-220

FET 类型:  N 通道
技术:  MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:  30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):  80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:  4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:  4.5 毫欧 @ 40A，10V
库存数量:
询 价

STF40NF03L

制造商: STMICROELECTRONICS
分类:

简介: 通孔 N 通道 30 V 23A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP

FET 类型:  N 通道
技术:  MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:  30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):  23A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:  4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:  22 毫欧 @ 20A，10V
库存数量:
询 价

STB100NF03L-03-1

制造商: STMICROELECTRONICS
分类:

简介: 通孔 N 通道 30 V 100A（Tc） 300W（Tc） I2PAK

FET 类型:  N 通道
技术:  MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:  30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):  100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:  4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:  3.2 毫欧 @ 50A，10V
库存数量:
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STB80NF03L-04-1

制造商: STMICROELECTRONICS
分类:
数据:

简介: 通孔 N 通道 30 V 80A（Tc） 300W（Tc） I2PAK

FET 类型:  N 通道
技术:  MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:  30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):  80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:  4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:  4 毫欧 @ 40A，10V
库存数量:
询 价

STP80NF03L-04

制造商: STMICROELECTRONICS
分类:
数据:

简介: 通孔 N 通道 30 V 80A（Tc） 300W（Tc） TO-220

FET 类型:  N 通道
技术:  MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:  30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):  80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:  4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:  4.5 毫欧 @ 40A，10V
库存数量:
询 价