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STMICROELECTRONICS

SM30T33AY

制造商: STMICROELECTRONICS
分类:

简介: ESD保护二极管/TVS二极管 3000 W 28kW Transil 15V to 33V Uni

库存数量:
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STN3NF06

制造商: STMICROELECTRONICS
分类:

简介: 表面贴装型 N 通道 60 V 4A（Tc） 3.3W（Tc） SOT-223

FET 类型:  N 通道
技术:  MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:  60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):  4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:  10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:  100 毫欧 @ 1.5A，10V
库存数量:
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STD17NF03LT4

制造商: STMICROELECTRONICS
分类:
数据:

简介: 表面贴装型 N 通道 30 V 17A（Tc） 30W（Tc） DPAK

FET 类型:  N 通道
技术:  MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:  30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):  17A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:  5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:  50 毫欧 @ 8.5A，10V
库存数量:
询 价

STN4NF03L

制造商: STMICROELECTRONICS
分类:

简介: 表面贴装型 N 通道 30 V 6.5A（Tc） 3.3W（Tc） SOT-223

FET 类型:  N 通道
技术:  MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:  30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):  6.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:  5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:  50 毫欧 @ 2A，10V
库存数量:
询 价

STP40NF03L

制造商: STMICROELECTRONICS
分类:

简介: 通孔 N 通道 30 V 40A（Tc） 70W（Tc） TO-220

FET 类型:  N 通道
技术:  MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:  30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):  40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:  4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:  22 毫欧 @ 20A，10V
库存数量:
询 价

STB200NF03T4

制造商: STMICROELECTRONICS
分类:

简介: 表面贴装型 N 通道 30 V 120A（Tc） 300W（Tc） D2PAK

FET 类型:  N 通道
技术:  MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:  30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):  120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:  10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:  3.6 毫欧 @ 60A，10V
库存数量:
询 价

STD18NF03L

制造商: STMICROELECTRONICS
分类:

简介: 表面贴装型 N 通道 30 V 17A（Tc） 30W（Tc） DPAK

FET 类型:  N 通道
技术:  MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:  30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):  17A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:  5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:  50 毫欧 @ 8.5A，10V
库存数量:
询 价

STP90NF03L

制造商: STMICROELECTRONICS
分类:

简介: 通孔 N 通道 30 V 90A（Tc） 150W（Tc） TO-220

FET 类型:  N 通道
技术:  MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:  30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):  90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:  5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:  6.5 毫欧 @ 45A，10V
库存数量:
询 价

STP200NF03

制造商: STMICROELECTRONICS
分类:

简介: 通孔 N 通道 30 V 120A（Tc） 300W（Tc） TO-220

FET 类型:  N 通道
技术:  MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:  30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):  120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:  10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:  3.6 毫欧 @ 60A，10V
库存数量:
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STB100NF03L-03T4

制造商: STMICROELECTRONICS
分类:

简介: 表面贴装型 N 通道 30 V 100A（Tc） 300W（Tc） D2PAK

FET 类型:  N 通道
技术:  MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:  30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):  100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:  4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:  3.2 毫欧 @ 50A，10V
库存数量:
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