STMICROELECTRONICS

STL42N65M5

制造商: STMICROELECTRONICS
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: 表面贴装型 N 通道 650 V 4A（Ta），34A（Tc） 3W（Ta），208W（Tc） PowerFlat™（8x8）HV

FET 类型: N 通道技术: MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）: 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4A（Ta），34A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 79 毫欧 @ 16.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 100 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4650 pF @ 100 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 3W（Ta），208W（Tc）工作温度: 150°C（TJ）等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型供应商器件封装: PowerFlat™（8x8）HV 封装/外壳: 4-PowerVDFN

STW42N65M5

制造商: STMICROELECTRONICS
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

简介: 通孔 N 通道 650 V 33A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3

FET 类型: N 通道技术: MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）: 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 33A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 79 毫欧 @ 16.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 100 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4650 pF @ 100 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 190W（Tc）工作温度: 150°C（TJ）等级: - 资质: - 安装类型: 通孔供应商器件封装: TO-247-3 封装/外壳: TO-247-3

E-L6258EX

制造商: STMICROELECTRONICS
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 接口电路 / 驱动器

简介: 双极性电机驱动器 DMOS 并联 PowerSO-36，底部焊盘

电机类型 - 步进: 双极性电机类型 - AC，DC: 有刷直流功能: 驱动器 - 全集成，控制和功率级输出配置: 半桥（4）接口: 并联技术: DMOS 步进分辨率: 1，1/2，1/4，1/8，1/16 应用: 通用电流 - 输出: 1.5A 电压 - 供电: 4.75V ~ 5.25V 电压 - 负载: 12V ~ 40V 工作温度: 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: 36-PowerBSSOP（0.433，11.00mm 宽）供应商器件封装: PowerSO-36，底部焊盘

L6376D

制造商: STMICROELECTRONICS
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 模拟集成电路 / 其他模拟集成电路
数据:

简介: 电源开关/驱动器 1：1 N 通道 500mA PowerSO-20

输出数: 4 比率 - 输入:输出: 1：1 输出配置: 高端输出类型: N 通道接口: 开/关电压 - 负载: 9.5V ~ 35V 电压 - 供电 (Vcc/Vdd): 不需要电流 - 输出（最大值）: 500mA 导通电阻（典型值）: - 输入类型: 非反相特性: 状态标志故障保护: 限流（固定），超温，UVLO 工作温度: -25°C ~ 125°C（TJ）安装类型: 表面贴装型供应商器件封装: PowerSO-20 封装/外壳: 20-SOIC（0.433，11.00mm 宽）祼焊盘

L6207PD

制造商: STMICROELECTRONICS
分类:

简介: 半桥（4）驱动器 DC 电机，步进电机，稳压器 DMOS PowerSO-36 Slug Up

输出配置: 半桥（4）应用: DC 电机，步进电机，稳压器接口: 逻辑负载类型: 电感技术: DMOS 导通电阻（典型值）: 300 毫欧电流 - 输出/通道: 2.8A 电流 - 峰值输出: 5.6A 电压 - 供电: 8V ~ 52V 电压 - 负载: 8V ~ 52V 工作温度: -25°C ~ 125°C（TJ）特性: 自举电路故障保护: 限流，超温，UVLO 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: 36-PowerBSSOP（0.433，11.00mm 宽）供应商器件封装: PowerSO-36 Slug Up

E-L6258

制造商: STMICROELECTRONICS
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 接口电路 / 驱动器

简介: 双极性电机驱动器 DMOS 并联 PowerSO-36，底部焊盘

电机类型 - 步进: 双极性电机类型 - AC，DC: 有刷直流功能: 驱动器 - 全集成，控制和功率级输出配置: 半桥（4）接口: 并联技术: DMOS 步进分辨率: 1，1/2，1/4，1/8，1/16 应用: 通用电流 - 输出: 1.2A 电压 - 供电: 4.75V ~ 5.25V 电压 - 负载: 12V ~ 34V 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: 36-PowerBSSOP（0.433，11.00mm 宽）供应商器件封装: PowerSO-36，底部焊盘

STWA67N60DM6

制造商: STMICROELECTRONICS
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

简介: 通孔 N 通道 600 V 58A（Tc） 431W（Tc） TO-247 长引线

FET 类型: N 通道技术: MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）: 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 58A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 54 毫欧 @ 23.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.75V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 72.5 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3400 pF @ 100 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 431W（Tc）工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）等级: - 资质: - 安装类型: 通孔供应商器件封装: TO-247 长引线封装/外壳: TO-247-3