STMICROELECTRONICS
STL42N65M5
制造商: STMICROELECTRONICS分类:
数据:
简介: 表面贴装型 N 通道 650 V 4A（Ta），34A（Tc） 3W（Ta），208W（Tc） PowerFlat™（8x8）HV
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4A（Ta），34A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 79 毫欧 @ 16.5A，10V
| 库存数量: |
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 33A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 79 毫欧 @ 16.5A，10V
| 库存数量: |
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 58A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 54 毫欧 @ 23.5A，10V
| 库存数量: |
