STMICROELECTRONICS

STM32MP253FAJ3

制造商: STMICROELECTRONICS
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 微处理器(MPU)

简介: ARM® Cortex®-A35，ARM® Cortex®-M0+，ARM® Cortex®-M33 微处理器 IC null 2、1、1 核，64 位 1.5GHz，200MHz，400MHz 361-TFBGA（16x16）

核心处理器: ARM® Cortex®-A35，ARM® Cortex®-M0+，ARM® Cortex®-M33 内核数/总线宽度: 2、1、1 核，64 位速度: 1.5GHz，200MHz，400MHz 协处理器/DSP: - RAM 控制器: DDR3L，DDR4，LPDDR4 图形加速: 无显示与接口控制器: LCD，LVDS，MIPI-CSI2 以太网: 10/100/1000Mbps（3） SATA: - USB: USB 2.0（1），USB 3.0（1），USB Type-C（1）电压 - I/O: 1.8V，3.3V 工作温度: -40°C ~ 125°C（TJ）等级: - 资质: - 安全特性: ARM TZ，引导安全，TRNG 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: 361-TFBGA 供应商器件封装: 361-TFBGA（16x16）附加接口: GPIO，DMA，CANbus，I2C，MMC/SD/SDIO，SPDIF，SPI，UART/USART

STM32MP257DAJ3

制造商: STMICROELECTRONICS
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 微处理器(MPU)

简介: ARM® Cortex®-A35，ARM® Cortex®-M0+，ARM® Cortex®-M33 微处理器 IC null 2、1、1 核，64 位 1.5GHz，200MHz，400MHz 361-TFBGA（16x16）

核心处理器: ARM® Cortex®-A35，ARM® Cortex®-M0+，ARM® Cortex®-M33 内核数/总线宽度: 2、1、1 核，64 位速度: 1.5GHz，200MHz，400MHz 协处理器/DSP: GPU RAM 控制器: DDR3L，DDR4，LPDDR4 图形加速: 是显示与接口控制器: LCD，LVDS，MIPI-CSI2 以太网: 10/100/1000Mbps（3） SATA: - USB: USB 2.0（1），USB 3.0（1），USB Type-C（1）电压 - I/O: 1.8V，3.3V 工作温度: -40°C ~ 125°C（TJ）等级: - 资质: - 安全特性: ARM TZ，引导安全，TRNG 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: 361-TFBGA 供应商器件封装: 361-TFBGA（16x16）附加接口: GPIO，DMA，CANbus，I2C，MMC/SD/SDIO，SPDIF，SPI，UART/USART

STM32MP255FAJ3

制造商: STMICROELECTRONICS
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 微处理器(MPU)

简介: ARM® Cortex®-A35，ARM® Cortex®-M0+，ARM® Cortex®-M33 微处理器 IC null 2、1、1 核，64 位 1.5GHz，200MHz，400MHz 361-TFBGA（16x16）

STM32MP257FAJ3

制造商: STMICROELECTRONICS
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 微处理器(MPU)

简介: ARM® Cortex®-A35，ARM® Cortex®-M0+，ARM® Cortex®-M33 微处理器 IC null 2、1、1 核，64 位 1.5GHz，200MHz，400MHz 361-TFBGA（16x16）

STP80NF12

制造商: STMICROELECTRONICS
分类:

简介: MOSFET N-Ch 120 Volt 80 Amp

STD60NF06T4

制造商: STMICROELECTRONICS
分类:

简介: MOSFET N-Ch 60 Volt 60 Amp

TS321ILT

制造商: STMICROELECTRONICS
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 模拟集成电路 / 放大器 / 运算放大器

简介: 标准（通用）放大器 1 电路 SOT-23-5

放大器类型: 标准（通用）电路数: 1 输出类型: - 压摆率: 0.4V/µs 增益带宽积: 800 kHz 电流 - 输入偏置: 20 nA 电压 - 输入补偿: 500 µV 电流 - 供电: 600µA 电流 - 输出/通道: 40 mA 电压 - 跨度（最小值）: 3 V 电压 - 跨度（最大值）: 30 V 工作温度: -40°C ~ 125°C 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: SC-74A，SOT-753 供应商器件封装: SOT-23-5

STP42N65M5

制造商: STMICROELECTRONICS
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

简介: 通孔 N 通道 650 V 33A（Tc） 190W（Tc） TO-220

FET 类型: N 通道技术: MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）: 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 33A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 79 毫欧 @ 16.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 100 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4650 pF @ 100 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 190W（Tc）工作温度: 150°C（TJ）等级: - 资质: - 安装类型: 通孔供应商器件封装: TO-220 封装/外壳: TO-220-3

STB42N65M5

制造商: STMICROELECTRONICS
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

简介: 表面贴装型 N 通道 650 V 33A（Tc） 190W（Tc） D2PAK

FET 类型: N 通道技术: MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）: 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 33A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 79 毫欧 @ 16.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 100 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4650 pF @ 100 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 190W（Tc）工作温度: 150°C（TJ）等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型供应商器件封装: D2PAK 封装/外壳: TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB

STW48N60DM2

制造商: STMICROELECTRONICS
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: 通孔 N 通道 600 V 40A（Tc） 300W（Tc） TO-247-3

FET 类型: N 通道技术: MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）: 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 79 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 70 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3250 pF @ 100 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 300W（Tc）工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）等级: - 资质: - 安装类型: 通孔供应商器件封装: TO-247-3 封装/外壳: TO-247-3