STMICROELECTRONICS

STM32MP253FAJ3

制造商: STMICROELECTRONICS
分类:

简介: ARM® Cortex®-A35，ARM® Cortex®-M0+，ARM® Cortex®-M33 微处理器 IC null 2、1、1 核，64 位 1.5GHz，200MHz，400MHz 361-TFBGA（16x16）

核心处理器: ARM® Cortex®-A35，ARM® Cortex®-M0+，ARM® Cortex®-M33

内核数/总线宽度: 2、1、1 核，64 位

速度: 1.5GHz，200MHz，400MHz

协处理器/DSP: -

RAM 控制器: DDR3L，DDR4，LPDDR4

图形加速: 无

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STM32MP257DAJ3

制造商: STMICROELECTRONICS
分类:

简介: ARM® Cortex®-A35，ARM® Cortex®-M0+，ARM® Cortex®-M33 微处理器 IC null 2、1、1 核，64 位 1.5GHz，200MHz，400MHz 361-TFBGA（16x16）

核心处理器: ARM® Cortex®-A35，ARM® Cortex®-M0+，ARM® Cortex®-M33

内核数/总线宽度: 2、1、1 核，64 位

速度: 1.5GHz，200MHz，400MHz

协处理器/DSP: GPU

RAM 控制器: DDR3L，DDR4，LPDDR4

图形加速: 是

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STM32MP255FAJ3

制造商: STMICROELECTRONICS
分类:

简介: ARM® Cortex®-A35，ARM® Cortex®-M0+，ARM® Cortex®-M33 微处理器 IC null 2、1、1 核，64 位 1.5GHz，200MHz，400MHz 361-TFBGA（16x16）

核心处理器: ARM® Cortex®-A35，ARM® Cortex®-M0+，ARM® Cortex®-M33

内核数/总线宽度: 2、1、1 核，64 位

速度: 1.5GHz，200MHz，400MHz

协处理器/DSP: GPU

RAM 控制器: DDR3L，DDR4，LPDDR4

图形加速: 是

库存数量:

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STM32MP257FAJ3

制造商: STMICROELECTRONICS
分类:

简介: ARM® Cortex®-A35，ARM® Cortex®-M0+，ARM® Cortex®-M33 微处理器 IC null 2、1、1 核，64 位 1.5GHz，200MHz，400MHz 361-TFBGA（16x16）

核心处理器: ARM® Cortex®-A35，ARM® Cortex®-M0+，ARM® Cortex®-M33

内核数/总线宽度: 2、1、1 核，64 位

速度: 1.5GHz，200MHz，400MHz

协处理器/DSP: GPU

RAM 控制器: DDR3L，DDR4，LPDDR4

图形加速: 是

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STP80NF12

制造商: STMICROELECTRONICS
分类:

简介: MOSFET N-Ch 120 Volt 80 Amp

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STD60NF06T4

制造商: STMICROELECTRONICS
分类:

简介: MOSFET N-Ch 60 Volt 60 Amp

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TS321ILT

制造商: STMICROELECTRONICS
分类:

简介: 标准（通用）放大器 1 电路 SOT-23-5

放大器类型: 标准（通用）

电路数: 1

输出类型: -

压摆率: 0.4V/µs

增益带宽积: 800 kHz

电流 - 输入偏置: 20 nA

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STP42N65M5

制造商: STMICROELECTRONICS
分类:

简介: 通孔 N 通道 650 V 33A（Tc） 190W（Tc） TO-220

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）: 650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 33A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 79 毫欧 @ 16.5A，10V

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STB42N65M5

制造商: STMICROELECTRONICS
分类:

简介: 表面贴装型 N 通道 650 V 33A（Tc） 190W（Tc） D2PAK

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）: 650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 33A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 79 毫欧 @ 16.5A，10V

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STW48N60DM2

制造商: STMICROELECTRONICS
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数据:

简介: 通孔 N 通道 600 V 40A（Tc） 300W（Tc） TO-247-3

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）: 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 40A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 79 毫欧 @ 20A，10V

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