STMICROELECTRONICS
放大器类型: CMOS
电路数: 2
输出类型: -
压摆率: 0.04V/µs
增益带宽积: 100 kHz
电流 - 输入偏置: 1 pA
电压 - 输入补偿: 1.1 mV
电流 - 供电: 10µA（x2 通道）
电流 - 输出/通道: 45 mA
电压 - 跨度（最小值）: 3 V
电压 - 跨度（最大值）: 16 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装: 8-SOIC
STM32G071CBU6
制造商: STMICROELECTRONICS分类:
简介: ARM微控制器 - MCU Mainstream Arm Cortex-M0+ MCU 128 Kbytes of Flash 36 Kbytes RAM, 64 MHz CPU, 4x
STM32G071CBU6TR
制造商: STMICROELECTRONICS分类:
简介: ARM微控制器 - MCU Mainstream Arm Cortex-M0+ MCU 128 Kbytes of Flash 36 Kbytes RAM, 64 MHz CPU, 4x
STP12N120K5
制造商: STMICROELECTRONICS分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 通孔 N 通道 1200 V 12A（Tc） 250W（Tc） TO-220
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 690 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 44.2 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1370 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 250W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220
封装/外壳: TO-220-3
STH13N120K5-2AG
制造商: STMICROELECTRONICS分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 N 通道 1200 V 12A（Tc） 250W（Tc） H2PAK-2
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 690 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 44.2 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1370 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 250W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: H2PAK-2
封装/外壳: TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
STP13N80K5
制造商: STMICROELECTRONICS分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 通孔 N 通道 800 V 12A（Tc） 190W（Tc） TO-220
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 450 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 29 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 870 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 190W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220
封装/外壳: TO-220-3
STH12N120K5-2
制造商: STMICROELECTRONICS分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 N 通道 1200 V 12A（Tc） 250W（Tc） H2PAK-2
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 690 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 44.2 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1370 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 250W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: H2PAK-2
封装/外壳: TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
LD39200DPUR
制造商: STMICROELECTRONICS分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 模拟集成电路 / 非线性电路 / 电压调整器
简介: PMIC - 稳压器 - 线性 正 可调式 1 输出 2A 8-DFN（4x4）
输出配置: 正
输出类型: 可调式
稳压器数: 1
电压 - 输入（最大值）: 6V
电压 - 输出（最小值/固定）: 0.5V
电压 - 输出（最大值）: 5.75V
电压降（最大值）: 0.25V @ 2A
电流 - 输出: 2A
电流 - 静态 (Iq): 300 µA
电流 - 供电（最大值）: 3 mA
PSRR: 70dB ~ 40dB（1kHz ~ 1MHz）
控制特性: 使能，电源良好
保护功能: 过流，超温，反极性
工作温度: -40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-VDFN 祼焊盘
供应商器件封装: 8-DFN（4x4）
