STMICROELECTRONICS

EV-VN9006AJ

制造商: STMICROELECTRONICS
分类:

简介: 电源管理IC开发工具 VN9006AJ evaluation board

STPSC20065D

制造商: STMICROELECTRONICS
分类:

简介: 碳化硅肖特基二极管 650 V power Schottky silicon carbide diode

STM6717TWWY6F

制造商: STMICROELECTRONICS
分类:

简介: 监控电路 Dual Ultra-Low Volt Open Drain reset

STF7N105K5

制造商: STMICROELECTRONICS
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

简介: 通孔 N 通道 1050 V 4A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP

FET 类型: N 通道技术: MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）: 1050 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 2 欧姆 @ 2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 17 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 380 pF @ 100 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 25W（Tc）工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）等级: - 资质: - 安装类型: 通孔供应商器件封装: TO-220FP 封装/外壳: TO-220-3 整包

STF5N105K5

制造商: STMICROELECTRONICS
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

简介: 通孔 N 通道 1050 V 3A（Tc） 25W（Tc） TO-220 整包

FET 类型: N 通道技术: MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）: 1050 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 3.5 欧姆 @ 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 12.5 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 210 pF @ 100 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 25W（Tc）工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）等级: - 资质: - 安装类型: 通孔供应商器件封装: TO-220 整包封装/外壳: TO-220-3 整包

STFW1N105K3

制造商: STMICROELECTRONICS
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: 通孔 N 通道 1050 V 1.4A（Tc） 20W（Tc） TO-3PF

FET 类型: N 通道技术: MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）: 1050 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 11 欧姆 @ 600mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V @ 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 13 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 180 pF @ 100 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 20W（Tc）工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）等级: - 资质: - 安装类型: 通孔供应商器件封装: TO-3PF 封装/外壳: TO-3P-3 整包

LD1117S12CTR

制造商: STMICROELECTRONICS
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 模拟集成电路 / 非线性电路 / 电压调整器

简介: PMIC - 稳压器 - 线性正固定 1 输出 800mA SOT-223

输出配置: 正输出类型: 固定稳压器数: 1 电压 - 输入（最大值）: 15V 电压 - 输出（最小值/固定）: 1.2V 电压 - 输出（最大值）: - 电压降（最大值）: 1.3V @ 800mA 电流 - 输出: 800mA 电流 - 静态 (Iq): 5 mA PSRR: 75dB（120Hz）控制特性: - 保护功能: 过流，超温工作温度: -40°C ~ 125°C 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装: SOT-223

SMAJ13A-TR

制造商: STMICROELECTRONICS
分类:

简介: ESD保护二极管/TVS二极管 400W 13V Unidirect

SMA4F13A

制造商: STMICROELECTRONICS
分类:

简介: ESD保护二极管/TVS二极管 400 W, 13 V TVS in SMA Flat

TN1605H-6G

制造商: STMICROELECTRONICS
分类: 半导体分立器件和附件 / 闸流晶体管

简介: SCR 600 V 16 A 标准恢复型表面贴装型 D2PAK

电压 - 断态: 600 V 电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值）: 1.3 V 电流 - 栅极触发 (Igt)（最大值）: 6 mA 电压 - 通态 (Vtm)（最大值）: 1.6 V 电流 - 通态 (It (AV))（最大值）: 10 A 电流 - 通态 (It (RMS))（最大值）: 16 A 电流 - 保持 (Ih)（最大值）: 20 mA 电流 - 断态（最大值）: 5 µA 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm): 140A，153A SCR 类型: 标准恢复型工作温度: -40°C ~ 150°C 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB 供应商器件封装: D2PAK