INFINEON

Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战: 高能效、 移动性和 安全性,为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称,并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。

IKQ75N120CH7

分类:
数据:

简介: 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package

E[off](Hard Switching):  3.84mJ
E[on]:  7.76mJ
I[C](@ 100°) max:  75.0A
I[C](@ 25°) max:  82.0A
I[Cpuls] max:  300.0A
I[F] max:  78.0A
库存数量:
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IKB30N65EH5

分类:
数据:

简介: 650 V, 30 A IGBT with anti-parallel diode in TO-263 package

E[off](Hard Switching):  0.3mJ
E[on]:  0.87mJ
I[C](@ 100°) max:  35.0A
I[C](@ 25°) max:  55.0A
I[Cpuls] max:  120.0A
I[F] max:  39.5A
库存数量:
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IKP30N65F5

分类:
数据:

简介: 650 V, 30 A IGBT with anti-parallel diode in TO-220 package

I[rrm]:  14.4A
E[on]:  0.28mJ
I[C](@ 100°) max:  35.0A
I[C](@ 25°) max:  55.0A
I[Cpuls] max:  90.0A
I[F] max:  36.0A
库存数量:
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IKW50N65WR5

分类:
数据:

简介: 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package

I[rrm]:  29.0A
E[on]:  1.85mJ
I[C](@ 100°) max:  50.0A
I[C](@ 25°) max:  80.0A
I[Cpuls] max:  150.0A
I[F] max:  37.0A
库存数量:
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IKW30N65H5

分类:
数据:
I[rrm]:  11.5A
E[on]:  0.28mJ
I[C](@ 100°) max:  35.0A
I[C](@ 25°) max:  55.0A
I[Cpuls] max:  90.0A
I[F] max:  30.0A
库存数量:
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IGP30N65F5

分类:
数据:
E[on]:  0.28mJ
I[C](@ 100°) max:  35.0A
I[C](@ 25°) max:  55.0A
I[Cpuls] max:  90.0A
Q[Gate]:  70.0nC
V[CE(sat)]:  1.6V
库存数量:
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IHW25N140R5L

分类:
数据:

简介: 1400 V, 25 A IGBT discrete with reverse conducting diode in TO-247 3pin package

E[off](Soft Switching):  0.11mJ
I[Cpuls] max:  75.0A
I[F] max:  75.0A
I[Fpuls] max:  75.0A
P[tot] max:  246.0W
Q[Gate]:  150.0nC
库存数量:
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IKP06N60T

分类:
数据:

简介: 600 V, 6 A IGBT discrete with anti-parallel diode in TO220 package

I[rrm]:  5.3A
E[on]:  0.09mJ
I[C](@ 100°) max:  6.0A
I[C](@ 25°) max:  12.0A
I[Cpuls] max:  18.0A
I[F] max:  12.0A
库存数量:
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IKZA75N120CH7

分类:
数据:

简介: 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package

E[off](Hard Switching):  4.04mJ
E[on]:  3.16mJ
I[C](@ 100°) max:  94.0A
I[C](@ 25°) max:  109.0A
I[Cpuls] max:  300.0A
I[F] max:  96.0A
库存数量:
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IKP20N60T

分类:
数据:

简介: 600 V, 20 A IGBT discrete with anti-parallel diode in TO220 package

I[rrm]:  13.3A
E[on]:  0.31mJ
I[C](@ 100°) max:  28.0A
I[C](@ 25°) max:  41.0A
I[Cpuls] max:  60.0A
I[F] max:  41.0A
库存数量:
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