INFINEON

Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战：高能效、移动性和安全性，为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称，并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。

IKW75N65ES5

分类:
数据:

I[rrm]: 31.0A

E[on]: 2.4mJ

I[C](@ 100°) max: 80.0A

I[C](@ 25°) max: 80.0A

I[Cpuls] max: 300.0A

I[F] max: 80.0A

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IHW50N65R6

分类:
数据:

简介: 650 V, 50 A IGBT with monolithically integrated diode in TO-247 package

P[tot] max: 251.0W

Package: TO-247-3

Q[Gate]: 199.0nC

Q[rr]: 2500.0nC

Switching Frequency max: 75.0kHz

Switching Frequency: RC-H6 Series 20-150 kHz

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IKWH75N65EH7

分类:
数据:

简介: 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package

E[off]: 1.6mJ

E[on]: 3.9mJ

I[Cpuls] max: 300.0A

I[F] max: 80.0A

I[Fpuls] max: 300.0A

I[rrm]: 47.2A

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IKQ120N65EH7

分类:
数据:

简介: 650 V, 120 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-3 package

E[on]: 6.1mJ

I[Cpuls] max: 480.0A

I[F] max: 160.0A

I[Fpuls] max: 480.0A

I[rrm]: 67.0A

Q[Gate]: 251.0nC

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IGQ75N120S7

分类:
数据:

简介: 1200 V, 75 A IGBT7 S7 in TO247PLUS-3pin package

E[off]: 6.48mJ

E[on]: 7.32mJ

I[C](@ 100°) max: 103.0A

I[C](@ 25°) max: 154.0A

I[Cpuls] max: 225.0A

P[tot] max: 674.0W

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IKW40N65ES5

分类:
数据:

I[rrm]: 23.0A

E[on]: 0.86mJ

I[C](@ 100°) max: 50.0A

I[C](@ 25°) max: 79.0A

I[Cpuls] max: 160.0A

I[F] max: 79.0A

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IKZA75N65RH5

分类:
数据:

简介: 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode

E[off](Hard Switching): 0.3mJ

E[on]: 0.31mJ

I[C](@ 25°) max: 80.0A

I[C](@ 100°) max: 75.0A

I[Cpuls] max: 300.0A

I[F] max: 30.7A

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IKWH100N65EH7

分类:
数据:

简介: 650 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package

E[off]: 2.6mJ

E[on]: 5.3mJ

I[Cpuls] max: 400.0A

I[F] max: 140.0A

I[Fpuls] max: 400.0A

I[rrm]: 55.5A

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IKW75N120CH7

分类:
数据:

简介: 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package

E[off](Hard Switching): 3.37mJ

E[on]: 5.86mJ

I[C](@ 100°) max: 81.0A

I[C](@ 25°) max: 92.0A

I[Cpuls] max: 300.0A

I[F] max: 89.0A

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IGP15N60T

分类:
数据:

简介: 600 V, 15 A IGBT Discrete in TO220 package

E[on]: 0.22mJ

I[C](@ 100°) max: 23.0A

I[C](@ 25°) max: 26.0A

I[Cpuls] max: 45.0A

Q[Gate]: 87.0nC

V[CE(sat)]: 1.5V

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