INFINEON

Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战：高能效、移动性和安全性，为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称，并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。

IKW50N65F5

分类:
数据:

I[rrm]: 16.5A

E[on]: 0.49mJ

I[C](@ 100°) max: 56.0A

I[C](@ 25°) max: 80.0A

I[Cpuls] max: 150.0A

I[F] max: 40.0A

库存数量:

库存数量:

询价

IKQ140N120CH7

分类:
数据:

简介: 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package

E[off](Hard Switching): 6.71mJ

E[on]: 11.8mJ

I[C](@ 100°) max: 154.0A

I[C](@ 25°) max: 175.0A

I[Cpuls] max: 560.0A

I[F] max: 170.0A

库存数量:

库存数量:

询价

IKW50N120CS7

分类:
数据:

简介: 1200 V, 50 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package

E[off](Hard Switching): 4.7mJ

E[on]: 4.3mJ

I[C](@ 25°) max: 82.0A

I[C](@ 100°) max: 68.0A

I[Cpuls] max: 150.0A

I[F] max: 82.0A

库存数量:

库存数量:

询价

IHW30N65R6

分类:
数据:

简介: 650 V, 30 A IGBT with monolithically integrated diode in TO-247 package

E[off](Hard Switching): 0.26mJ

E[on]: 0.73mJ

I[C](@ 100°) max: 41.0A

I[C](@25°) max: 65.0A

I[Cpuls] max: 90.0A

I[F] max: 25.0A

库存数量:

库存数量:

询价

IKW50N120CH7

分类:
数据:

简介: 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package

E[off](Hard Switching): 2.74mJ

E[on]: 3.49mJ

I[C](@ 100°) max: 73.0A

I[C](@ 25°) max: 86.0A

I[Cpuls] max: 220.0A

I[F] max: 77.0A

库存数量:

库存数量:

询价

IKA15N60T

分类:
数据:

简介: 600 V, 15 A IGBT with anti-parallel diode in TO-220 Full-Pak package

I[rrm]: 10.4A

E[on]: 0.22mJ

I[C](@ 100°) max: 8.9A

I[C](@ 25°) max: 14.7A

I[Cpuls] max: 45.0A

I[F] max: 15.5A

库存数量:

库存数量:

询价

IKFW50N65DH5

分类:
数据:

简介: 650 V IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package

E[off](Hard Switching): 0.63mJ

E[on]: 1.46mJ

I[F] max: 40.0A

I[Fpuls] max: 160.0A

P[tot](@ T[A]=25°C) max: 124.0W

Q[Gate]: 95.0nC

库存数量:

库存数量:

询价

IKFW40N65ES5

分类:
数据:

简介: 650 V, 40 A IGBT in TO-247 advanced isolation package

Package: PG-HSIP247-3-1

P[tot] max: 106.0W

Q[Gate]: 70.0nC

Q[rr]: 0.51nC

Switching Frequency max: 30.0kHz

Technology: IGBT TRENCHSTOP™ 5

库存数量:

库存数量:

询价

AIKW50N65DF5

分类:
数据:

I[rrm]: 15.5A

E[off](Hard Switching): 0.25mJ

E[on]: 0.49mJ

I[C](@ 100°) max: 53.5A

I[C](@ 25°) max: 80.0A

I[Cpuls] max: 150.0A

库存数量:

库存数量:

询价

IKZA50N65SS5

分类:
数据:

简介: 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode

E[off](Hard Switching): 0.52mJ

E[on]: 0.23mJ

I[C](@ 25°) max: 80.0A

I[C](@ 100°) max: 60.5A

I[Cpuls] max: 200.0A

I[F] max: 38.5A

库存数量:

库存数量:

询价