INFINEON

Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战：高能效、移动性和安全性，为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称，并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。

IKP15N65H5

分类:
数据:

I[rrm]: 8.0A

E[on]: 0.12mJ

I[C](@ 100°) max: 18.0A

I[C](@ 25°) max: 30.0A

I[Cpuls] max: 45.0A

I[F] max: 20.0A

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IGB15N60T

分类:
数据:

简介: 600 V, 15 A IGBT Discrete in TO263 package

E[on]: 0.22mJ

I[C](@ 100°) max: 23.0A

I[C](@ 25°) max: 26.0A

I[Cpuls] max: 45.0A

Q[Gate]: 87.0nC

V[CE(sat)]: 1.5V

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IKP04N60T

分类:
数据:

简介: 600 V, 4 A IGBT discrete with anti-parallel diode in TO220 package

I[rrm]: 5.3A

E[on]: 0.06mJ

I[C](@ 100°) max: 4.0A

I[C](@ 25°) max: 8.0A

I[Cpuls] max: 12.0A

I[F] max: 8.0mA

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IKP40N65H5

分类:
数据:

I[rrm]: 12.5A

E[on]: 0.39mJ

I[C](@ 100°) max: 46.0A

I[C](@ 25°) max: 74.0A

I[Cpuls] max: 120.0A

I[F] max: 36.0A

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IKW40N120CS7

分类:
数据:

简介: 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package

E[off](Hard Switching): 3.65mJ

E[on]: 3.85mJ

I[C](@ 25°) max: 82.0A

I[C](@ 100°) max: 56.0A

I[Cpuls] max: 120.0A

I[F] max: 69.0A

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IKD15N60RC2

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数据:

简介: 600 V, 15 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package

E[off](Hard Switching): 0.04mJ

E[on]: 0.57mJ

I[C](@ 25°) max: 28.0A

I[C](@ 100°) max: 18.6A

I[Cpuls] max: 45.0A

I[F] max: 6.6A

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IKP28N65ES5

分类:
数据:

简介: 650 V, 28 A IGBT with anti-parallel diode in TO-220 package

E[off](Hard Switching): 0.4mJ

E[on]: 0.53mJ

I[C](@ 100°) max: 28.0A

I[C](@ 25°) max: 38.0A

I[Cpuls] max: 90.0A

I[F] max: 40.0A

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AIKB20N60CT

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数据:

I[rrm]: 13.3A

E[off](Soft Switching): 0.46mJ

E[on]: 0.31mJ

I[C](@ 100°) max: 20.0A

I[C](@ 25°) max: 40.0A

I[Cpuls] max: 60.0A

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IKZA75N65EH7

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数据:

简介: 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package

E[on]: 1.4mJ

I[Cpuls] max: 300.0A

I[F] max: 80.0A

I[Fpuls] max: 300.0A

I[rrm]: 86.3A

Q[Gate]: 152.0nC

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IKZA50N120CH7

分类:
数据:

简介: 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package

E[off](Hard Switching): 2.96mJ

E[on]: 1.62mJ

I[C](@ 100°) max: 82.0A

I[C](@ 25°) max: 100.0A

I[Cpuls] max: 200.0A

I[F] max: 81.0A

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