INFINEON

Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战：高能效、移动性和安全性，为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称，并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。

IGP10N60T

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数据:

简介: 600 V, 10 A IGBT Discrete in TO220 package

E[on]: 0.16mJ

I[C](@ 100°) max: 18.0A

I[C](@ 25°) max: 24.0A

I[Cpuls] max: 30.0A

Q[Gate]: 62.0nC

V[CE(sat)]: 1.5V

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IKW75N65EH5

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I[rrm]: 20.5A

E[on]: 2.3mJ

I[C](@ 100°) max: 75.0A

I[C](@ 25°) max: 90.0A

I[Cpuls] max: 300.0A

I[F] max: 90.0A

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IHW30N140R5L

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简介: 1400 V, 30 A IGBT discrete with reverse conducting diode in TO-247 3pin package

I[Cpuls] max: 90.0A

I[F] max: 80.0A

I[Fpuls] max: 90.0A

P[tot] max: 306.0W

Q[Gate]: 210.0nC

R[G]: 10.0Ω

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IKB40N65EH5

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简介: 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-263 package

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AIKW20N60CT

分类:
数据:

I[rrm]: 13.3A

E[off](Soft Switching): 0.46mJ

E[on]: 0.31mJ

I[C](@ 100°) max: 20.0A

I[C](@ 25°) max: 40.0A

I[Cpuls] max: 60.0A

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IKN04N60RC2

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简介: 600 V, 4 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in SOT-223 package

E[off](Hard Switching): 0.62mJ

E[on]: 0.95mJ

I[C](@ 25°) max: 7.5A

I[Cpuls] max: 12.0A

I[F] max: 4.9A

I[Fpuls] max: 12.0A

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IKQ100N120CH7

分类:
数据:

简介: 1200 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package

E[off](Hard Switching): 4.52mJ

E[on]: 10.6mJ

I[C](@ 100°) max: 139.0A

I[C](@ 25°) max: 166.0A

I[Cpuls] max: 400.0A

I[F] max: 142.0A

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IKB06N60T

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数据:

简介: 600 V, 6 A IGBT Discrete with anti-parallel diode in TO263 package

I[rrm]: 5.3A

E[on]: 0.09mJ

I[C](@ 100°) max: 6.0A

I[C](@ 25°) max: 12.0A

I[Cpuls] max: 18.0A

I[F] max: 12.0A

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IKY140N120CH7

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数据:

简介: 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package

E[off](Hard Switching): 8.45mJ

E[on]: 4.42mJ

I[C](@ 100°) max: 193.0A

I[C](@ 25°) max: 232.0A

I[Cpuls] max: 560.0A

I[F] max: 170.0A

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IKA10N60T

分类:
数据:

简介: 600 V, 10 A IGBT Discrete with anti-parallel diode in TO220 Full-Pak package

I[rrm]: 13.0A

E[on]: 0.16mJ

I[C](@ 100°) max: 7.2A

I[C](@ 25°) max: 11.7A

I[Cpuls] max: 30.0A

I[F] max: 11.9A

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