INFINEON

Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战：高能效、移动性和安全性，为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称，并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。

IHW20N120R5

分类:
数据:

简介: 1200 V, 20 A IGBT Discrete with anti-parallel diode in TO-247 package

I[C](@ 100°) max: 20.0A

I[C](@ 25°) max: 40.0A

I[Cpuls] max: 60.0A

I[F] max: 40.0A

I[Fpuls] max: 60.0A

V[F]: 1.6V

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IKZA40N65RH5

分类:
数据:

简介: 650 V, 40 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode

E[off](Hard Switching): 0.12mJ

E[on]: 0.14mJ

I[C](@ 25°) max: 74.0A

I[C](@ 100°) max: 46.0A

I[Cpuls] max: 160.0A

I[F] max: 18.5A

库存数量:

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IGP40N65F5

分类:
数据:

简介: 650 V, 40 A IGBT Discrete in TO-247 package

E[on]: 0.36mJ

I[C](@ 100°) max: 46.0A

I[C](@ 25°) max: 74.0A

I[Cpuls] max: 120.0A

Q[Gate]: 95.0nC

V[CE(sat)]: 1.6V

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IGW30N65L5

分类:
数据:

E[on]: 0.47mJ

I[C](@ 100°) max: 62.0A

I[C](@ 25°) max: 85.0A

I[Cpuls] max: 120.0A

Q[Gate]: 168.0nC

V[CE(sat)]: 1.05V

库存数量:

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IHW30N160R5

分类:
数据:

简介: 1600 V, 30 A IGBT Discrete with anti-parallel diode in TO-247 package

E[off](Hard Switching): 2.0mJ

E[off](Soft Switching): 0.35mJ

I[C](@ 25°) max: 60.0A

I[C](@ 100°) max: 39.0A

I[Cpuls] max: 90.0A

I[F] max: 55.0A

库存数量:

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IGB15N65S5

分类:
数据:

简介: 650 V, 15 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package

E[off](Hard Switching): 0.07mJ

E[on]: 0.25mJ

I[C](@ 25°) max: 35.0A

I[C](@ 100°) max: 23.0A

I[Cpuls] max: 60.0A

P[tot] max: 105.0W

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IKN03N60RC2

分类:
数据:

简介: 600 V, 3 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in SOT-223 package

E[off](Hard Switching): 0.44mJ

E[on]: 0.62mJ

I[C](@ 25°) max: 5.7A

I[Cpuls] max: 9.0A

I[F] max: 3.9A

I[Fpuls] max: 9.0A

库存数量:

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IKP20N65F5

分类:
数据:

I[rrm]: 10.25A

E[on]: 0.16mJ

I[C](@ 100°) max: 21.0A

I[C](@ 25°) max: 42.0A

I[Cpuls] max: 60.0A

I[F] max: 20.0A

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IKW50N65SS5

分类:
数据:

简介: 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode

E[off](Hard Switching): 0.55mJ

E[on]: 0.32mJ

I[C](@ 100°) max: 60.5A

I[C](@ 25°) max: 80.0A

I[Cpuls] max: 200.0A

I[F] max: 38.5A

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IHW40N65R6

分类:
数据:

简介: 650 V, 40 A IGBT with monolithically integrated diode in TO-247 package

E[off](Hard Switching): 0.42mJ

E[on]: 1.1mJ

I[C](@ 100°) max: 54.0A

I[C](@ 25°) max: 83.0A

I[Cpuls] max: 120.0A

I[F] max: 35.0A

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