INFINEON

Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战：高能效、移动性和安全性，为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称，并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。

AIKW40N65DH5

分类:
数据:

I[rrm]: 13.1A

E[off](Hard Switching): 0.22mJ

E[on]: 0.38mJ

I[C](@ 100°) max: 46.0A

I[C](@ 25°) max: 74.0A

I[Cpuls] max: 120.0A

库存数量:

库存数量:

询价

IKFW50N65EH5

分类:
数据:

简介: 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package

Technology: IGBT TRENCHSTOP™ 5

V[CE] max: 650.0V

Package: PG-HSIP247-3-1

Switching Frequency: TRENCHSTOP™ 30 - 100 kHz

Switching Frequency max: 100.0kHz

E[off](Hard Switching): 0.4mJ

库存数量:

库存数量:

询价

AIGW40N65H5

分类:
数据:

E[on]: 0.36mJ

I[C](@ 100°) max: 46.0A

I[C](@ 25°) max: 74.0A

I[Cpuls] max: 120.0A

Q[Gate]: 92.0nC

Switching Frequency: 15-120 KHz

库存数量:

库存数量:

询价

IGB50N65S5

分类:
数据:

简介: 650 V, 50 A IGBT Discrete in TO-263 package

E[off](Hard Switching): 0.23mJ

E[on]: 1.23mJ

I[C](@ 25°) max: 80.0A

I[C](@ 100°) max: 63.0A

I[Cpuls] max: 200.0A

P[tot] max: 270.0W

库存数量:

库存数量:

询价

IKP20N65H5

分类:
数据:

简介: 650 V, 20 A IGBT with anti-parallel diode in TO-220 package

I[rrm]: 10.04A

E[on]: 0.17mJ

I[C](@ 100°) max: 21.0A

I[C](@ 25°) max: 42.0A

I[Cpuls] max: 60.0A

I[F] max: 20.0A

库存数量:

库存数量:

询价

IKD06N60RC2

分类:
数据:

简介: 600 V, 6 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package

E[off](Hard Switching): 0.8mJ

E[on]: 0.17mJ

I[C](@ 25°) max: 11.7A

I[C](@ 100°) max: 8.0A

I[Cpuls] max: 18.0A

I[F] max: 5.3A

库存数量:

库存数量:

询价

IKW30N65EL5

分类:
数据:

I[rrm]: 21.0A

E[on]: 0.47mJ

I[C](@ 100°) max: 62.0A

I[C](@ 25°) max: 85.0A

I[Cpuls] max: 120.0A

I[F] max: 50.0A

库存数量:

库存数量:

询价

IKD10N60RC2

分类:
数据:

简介: 600 V, 10 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package

E[off](Hard Switching): 0.04mJ

E[on]: 0.32mJ

I[C](@ 25°) max: 18.8A

I[C](@ 100°) max: 12.6A

I[Cpuls] max: 30.0A

I[F] max: 4.6A

库存数量:

库存数量:

询价

AIKW50N65DH5

分类:
数据:

I[rrm]: 16.7A

E[off](Soft Switching): 0.16mJ

E[on]: 0.45mJ

I[C](@ 100°) max: 53.5A

I[C](@ 25°) max: 80.0A

I[Cpuls] max: 150.0A

库存数量:

库存数量:

询价

IKW40N65RH5

分类:
数据:

简介: 650 V, 40 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode

E[off](Hard Switching): 0.12mJ

E[on]: 0.16mJ

I[C](@ 25°) max: 74.0A

I[C](@ 100°) max: 46.0A

I[Cpuls] max: 160.0A

I[Fpuls] max: 60.0A

库存数量:

库存数量:

询价