INFINEON

Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战：高能效、移动性和安全性，为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称，并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。

AIGW50N65F5

分类:
数据:

E[off](Hard Switching): 0.14mJ

E[on]: 0.49mJ

I[C](@ 100°) max: 53.5A

I[C](@ 25°) max: 80.0A

I[Cpuls] max: 150.0A

Q[Gate]: 108.0nC

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IKZ75N65ES5

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数据:

简介: 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package

E[off](Hard Switching): 1.3mJ

E[on]: 1.5mJ

I[C](@ 100°) max: 80.0A

I[C](@ 25°) max: 300.0A

I[Cpuls] max: 300.0A

I[F] max: 80.0A

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IKZA40N120CS7

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简介: 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247-4 package

E[off](Hard Switching): 3.65mJ

I[C](@ 100°) max: 56.0A

I[C](@ 25°) max: 82.0A

I[Cpuls] max: 120.0A

I[F] max: 69.0A

I[Fpuls] max: 120.0A

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IKWH70N65WR6

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简介: 650 V, 70 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3-HCC package

E[off](Hard Switching): 1.07mJ

E[on]: 2.2mJ

I[C](@ 25°) max: 122.0A

I[C](@ 100°) max: 70.0A

I[Cpuls] max: 210.0A

I[F] max: 37.0A

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IGB50N65H5

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数据:

简介: 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-263 package

E[off](Hard Switching): 0.18mJ

E[on]: 1.59mJ

I[C](@ 25°) max: 80.0A

I[C](@ 100°) max: 53.7A

I[Cpuls] max: 150.0A

P[tot] max: 105.0W

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IKW50N65RH5

分类:
数据:

简介: 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode

E[off](Hard Switching): 0.18mJ

E[on]: 0.23mJ

I[C](@ 100°) max: 56.0A

I[C](@ 25°) max: 80.0A

I[Cpuls] max: 200.0A

I[F] max: 22.8A

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AIKQ120N75CP2

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数据:

简介: Infineon Automotive 750V EDT2 technology in TO247PLUS package

Type: IGBT + Diode

Switching Frequency: 7kHz - 15kHz

V[CE] max: 750.0V

I[Cpuls] max: 360.0A

P[tot] max: 682.0W

V[CE(sat)]: 1.3V

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IKY75N120CH7

分类:
数据:

简介: 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS 4pin package

E[off](Hard Switching): 4.15mJ

E[on]: 3.1mJ

I[C](@ 100°) max: 75.0A

I[C](@ 25°) max: 83.0A

I[Cpuls] max: 300.0A

I[F] max: 78.0A

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IKW75N65SS5

分类:
数据:

简介: 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode

E[off](Hard Switching): 0.42mJ

E[on]: 0.2mJ

I[C](@ 100°) max: 80.0A

I[Cpuls] max: 300.0A

I[F] max: 57.0A

I[Fpuls] max: 225.0A

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IHW30N120R5

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简介: 1200 V, 30 A IGBT Discrete with anti-parallel diode in TO-247 package

Technology: IGBT RC Soft Switching

Package: TO-247-3

I[Cpuls] max: 90.0A

P[tot] max: 330.0W

V[CE(sat)]: 1.55V

t[d(off)]: 330.0ns

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