INFINEON

Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战：高能效、移动性和安全性，为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称，并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。

IKP08N65H5

分类:
数据:

简介: 650 V, 8 A IGBT with anti-parallel diode in TO-220 package

I[rrm]: 6.8A

E[on]: 0.07mJ

I[C](@ 100°) max: 11.0A

I[C](@ 25°) max: 18.0A

I[Cpuls] max: 24.0A

I[F] max: 20.0A

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IKQ75N120CS7

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简介: 1200 V, 75 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package

E[off]: 6.48mJ

E[on]: 7.32mJ

I[C](@ 100°) max: 103.0A

I[C](@ 25°) max: 154.0A

I[Cpuls] max: 225.0A

I[F] max: 83.0A

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IKP40N65F5

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I[rrm]: 12.4A

E[on]: 0.36mJ

I[C](@ 100°) max: 46.0A

I[C](@ 25°) max: 74.0A

I[Cpuls] max: 120.0A

I[F] max: 36.0A

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IHW40N140R5L

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简介: 1400 V, 40 A IGBT discrete with reverse conducting diode in TO-247 3pin package

E[off](Soft Switching): 0.24mJ

I[Cpuls] max: 120.0A

I[F] max: 80.0A

I[Fpuls] max: 120.0A

P[tot] max: 366.0W

Q[Gate]: 260.0nC

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IKB40N65EF5

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简介: 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO263 package

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IKW40N65WR5

分类:
数据:

简介: 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package

I[rrm]: 27.0A

E[on]: 1.4mJ

I[C](@ 100°) max: 40.0A

I[C](@ 25°) max: 80.0A

I[Cpuls] max: 120.0A

I[F] max: 32.0A

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IKW75N65ET7

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数据:

简介: 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package

E[off](Hard Switching): 1.23mJ

E[on]: 2.17mJ

I[C](@ 25°) max: 80.0A

I[C](@ 100°) max: 78.5A

I[Cpuls] max: 225.0A

I[F] max: 80.0A

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IKW30N65WR5

分类:
数据:

简介: 650 V, 30 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package

I[rrm]: 22.0A

E[on]: 0.99mJ

I[C](@ 100°) max: 30.0A

I[C](@ 25°) max: 60.0A

I[Cpuls] max: 90.0A

I[F] max: 24.0A

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IKZ50N65EH5

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数据:

I[rrm]: 24.0A

E[on]: 0.41mJ

I[C](@ 100°) max: 54.0A

I[C](@ 25°) max: 85.0A

I[Cpuls] max: 200.0A

I[F] max: 95.0A

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IKY120N120CH7

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简介: 1200 V, 120 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package

E[off](Hard Switching): 6.98mJ

E[on]: 4.02mJ

I[C](@ 25°) max: 220.0A

I[C](@ 100°) max: 178.0A

I[Cpuls] max: 480.0A

I[F] max: 165.0A

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