INFINEON

Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战：高能效、移动性和安全性，为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称，并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。

IKW40N65ET7

分类:
数据:

简介: 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package

E[off](Hard Switching): 0.59mJ

E[on]: 1.05mJ

I[C](@ 25°) max: 76.0A

I[C](@ 100°) max: 49.5A

I[Cpuls] max: 120.0A

I[F] max: 72.0A

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IKW75N65EL5

分类:
数据:

I[rrm]: 29.0A

E[on]: 1.61mJ

I[C](@ 100°) max: 80.0A

I[C](@ 25°) max: 80.0A

I[Cpuls] max: 300.0A

I[F] max: 90.0A

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IKA06N60T

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简介: 600 V, 6 A IGBT Discrete with anti-parallel diode in TO-220 Full-Pak package

I[rrm]: 5.3A

E[on]: 0.09mJ

I[C](@ 100°) max: 6.2A

I[C](@ 25°) max: 10.0A

I[Cpuls] max: 18.0A

I[F] max: 10.2A

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IKFW60N65ES5

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简介: 650 V, 60 A IGBT in TO-247 advanced isolation package

E[off](Hard Switching): 1.23mJ

E[on]: 0.55mJ

Package: PG-HSIP247-3-1

Q[Gate]: 120.0nC

Q[rr]: 1.21nC

Switching Frequency: TRENCHSTOP™ 10 - 30 kHz

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IGP06N60T

分类:
数据:

简介: 600 V, 6 A IGBT Discrete in TO220 package

E[on]: 0.09mJ

I[C](@ 100°) max: 6.0A

I[C](@ 25°) max: 12.0A

I[Cpuls] max: 18.0A

Q[Gate]: 42.0nC

V[CE(sat)]: 1.5V

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IKW50N65H5

分类:
数据:

简介: 650 V IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package

I[rrm]: 16.7A

E[on]: 0.52mJ

I[C](@ 100°) max: 56.0A

I[C](@ 25°) max: 80.0A

I[Cpuls] max: 150.0A

I[F] max: 40.0A

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IKW25N120CS7

分类:
数据:

简介: 1200 V, 25 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package

t[r]: 17.0ns

t[f]: 250.0ns

t[d(on)]: 21.0ns

t[d(off)]: 240.0ns

V[GE(th)]: 5.7V

V[F]: 1.6V

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IKWH40N65EH7

分类:
数据:

简介: 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package

E[off]: 0.69mJ

E[on]: 1.52mJ

I[Cpuls] max: 160.0A

I[F] max: 76.0A

I[Fpuls] max: 160.0A

I[rrm]: 29.8A

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IKD04N60RC2

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数据:

简介: 600 V, 4 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package

E[off](Hard Switching): 0.04mJ

E[on]: 0.1mJ

I[C](@ 25°) max: 8.0A

I[C](@ 100°) max: 5.6A

I[Cpuls] max: 12.0A

I[F] max: 4.6A

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IKB20N65EH5

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简介: 650 V, 20 A IGBT with anti-parallel diode in TO263 package

E[off](Hard Switching): 0.13mJ

E[on]: 0.56mJ

I[C](@ 25°) max: 38.0A

I[C](@ 100°) max: 25.0A

I[Cpuls] max: 80.0A

I[F] max: 27.0A

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