INFINEON
Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战： 高能效、 移动性和 安全性，为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称，并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。
E[off](Hard Switching): 4.1mJ
E[on]: 6.7mJ
I[C](@ 100°) max: 75.0A
Package: TO-247-3
Q[rr]: 5100.0nC
Switching Frequency max: 20.0kHz
| 库存数量: |
I[C](@ 25°) max: 59.0A
Moisture Sensitivity Level: 1
P[tot] max: 246.0W
V[CE] max: 600.0V
V[CE(sat)]: 1.57V
I[C](@ 100°) max: 39.0A
| 库存数量: |
I[rrm]: 6.2A
E[on]: 0.05mJ
I[C](@ 100°) max: 2.5A
I[C](@ 25°) max: 5.0A
I[Cpuls] max: 7.5A
I[F] max: 5.0A
| 库存数量: |
I[C] max: 75.0A
V[DS] max: 1200.0V
V[GE(th)] max: 6.3V
Technology: IGBT4 Medium Power
V[CE(sat)] max: 2.07V
V[CE] max: 1200.0V
| 库存数量: |
I[C] max: 75.0A
V[DS] max: 1200.0V
V[GE(th)] max: 6.3V
Technology: IGBT HighSpeed 3
V[CE(sat)] max: 2.42V
V[CE] max: 1200.0V
| 库存数量: |
I[C] max: 75.0A
V[DS] max: 650.0V
V[GE(th)] max: 5.6V
Technology: IGBT HighSpeed 3
V[CE(sat)] max: 2.22V
V[CE] max: 650.0V
| 库存数量: |
I[C] max: 100.0A
V[DS] max: 650.0V
V[GE(th)] max: 6.4V
Technology: IGBT3 Medium Power
V[CE(sat)] max: 1.82V
V[CE] max: 650.0V
| 库存数量: |
I[C] max: 35.0A
V[DS] max: 1200.0V
V[GE(th)] max: 6.3V
Technology: IGBT4 Low Power
V[CE(sat)] max: 2.07V
V[CE] max: 1200.0V
| 库存数量: |
I[C] max: 150.0A
V[DS] max: 600.0V
V[GE(th)] max: 6.5V
Technology: IGBT3
V[CE(sat)] max: 1.85V
V[CE] max: 600.0V
| 库存数量: |
I[C] max: 50.0A
V[DS] max: 650.0V
V[GE(th)] max: 5.6V
Technology: IGBT HighSpeed 3
V[CE(sat)] max: 2.22V
V[CE] max: 650.0V
| 库存数量: |