INFINEON

Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战: 高能效、 移动性和 安全性,为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称,并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。

IGC27T120T8Q

分类:
数据:
I[C] max:  25.0A
V[DS] max:  1200.0V
V[GE(th)] max:  6.3V
Technology:  IGBT HighSpeed 3
V[CE(sat)] max:  2.42V
V[CE] max:  1200.0V
库存数量:
询 价
I[C] max:  150.0A
V[DS] max:  1700.0V
V[GE(th)] max:  6.4V
Technology:  IGBT3
V[CE(sat)] max:  2.4V
V[CE] max:  1700.0V
库存数量:
询 价

SIGC100T60R3E

分类:
数据:
I[C] max:  200.0A
V[DS] max:  600.0V
V[GE(th)] max:  6.5V
Technology:  IGBT3
V[CE(sat)] max:  1.85V
V[CE] max:  600.0V
库存数量:
询 价

SIGC54T65R3E

分类:
数据:
I[C] max:  100.0A
V[DS] max:  650.0V
V[GE(th)] max:  6.4V
Technology:  IGBT3
V[CE(sat)] max:  1.77V
V[CE] max:  650.0V
库存数量:
询 价
I[C] max:  75.0A
V[DS] max:  1700.0V
V[GE(th)] max:  6.4V
Technology:  IGBT3
V[CE(sat)] max:  2.4V
V[CE] max:  1700.0V
库存数量:
询 价

SIGC84T120R3E

分类:
数据:
I[C] max:  75.0A
V[DS] max:  1200.0V
V[GE(th)] max:  6.5V
Technology:  IGBT3
V[CE(sat)] max:  2.1V
V[CE] max:  1200.0V
库存数量:
询 价

IGC18T120T8L

分类:
数据:

简介: 1200 V power IGBT chip

I[C] max:  15.0A
V[DS] max:  1200.0V
V[GE(th)] max:  6.3V
Technology:  IGBT4 Low Power
V[CE(sat)] max:  2.07V
V[CE] max:  1200.0V
库存数量:
询 价

IGC27T120T8L

分类:
数据:

简介: 1200 V power IGBT chip

I[C] max:  25.0A
V[DS] max:  1200.0V
V[GE(th)] max:  6.3V
Technology:  IGBT4 Low Power
V[CE(sat)] max:  2.07V
V[CE] max:  1200.0V
库存数量:
询 价

AUIRGP4063D

分类:
数据:

简介: 600V co-pack Automotive Trench IGBT in a TO-247AC package

Package:  TO-247
V[CE(sat)]:  1.6V
P[tot] max:  330.0W
V[CE] max:  600.0V
Type:  IGBT + Diode
Voltage Class max:  600.0V
库存数量:
询 价

SIGC10T60E

分类:
数据:
I[C] max:  20.0A
V[DS] max:  600.0V
V[GE(th)] max:  6.5V
Technology:  IGBT3
V[CE(sat)] max:  1.9V
V[CE] max:  600.0V
库存数量:
询 价