INFINEON
Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战： 高能效、 移动性和 安全性，为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称，并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。
I[C] max: 150.0A
V[DS] max: 1200.0V
V[GE(th)] max: 6.3V
Technology: IGBT4 Low Power
V[CE(sat)] max: 1.74V
V[CE] max: 1200.0V
| 库存数量: |
I[C] max: 200.0A
V[DS] max: 1200.0V
V[GE(th)] max: 6.3V
Technology: IGBT4 Medium Power
V[CE(sat)] max: 1.3V
V[CE] max: 1200.0V
| 库存数量: |
I[C] max: 40.0A
V[DS] max: 1200.0V
V[GE(th)] max: 6.3V
Technology: IGBT HighSpeed 3
V[CE(sat)] max: 2.42V
V[CE] max: 1200.0V
| 库存数量: |
I[C] max: 200.0A
V[DS] max: 1200.0V
V[GE(th)] max: 6.3V
Technology: IGBT4 Low Power
V[CE(sat)] max: 2.05V
V[CE] max: 1200.0V
| 库存数量: |
I[C] max: 4.0A
V[DS] max: 1200.0V
V[GE(th)] max: 6.3V
Technology: IGBT4 Low Power
V[CE(sat)] max: 2.02V
V[CE] max: 1200.0V
| 库存数量: |
I[C] max: 100.0A
V[DS] max: 1700.0V
V[GE(th)] max: 6.4V
Technology: IGBT3
V[CE(sat)] max: 2.4V
V[CE] max: 1700.0V
| 库存数量: |
I[C] max: 25.0A
V[DS] max: 1200.0V
V[GE(th)] max: 6.5V
Technology: IGBT3
V[CE(sat)] max: 2.1V
V[CE] max: 1200.0V
| 库存数量: |
I[C] max: 10.0A
V[GE(th)] max: 6.4V
Technology: IGBT3
V[CE(sat)] max: 1.87V
V[CE] max: 650.0V
Operating Temperature max: 175.0°C
| 库存数量: |
I[C] max: 200.0A
V[DS] max: 650.0V
V[GE(th)] max: 6.4V
Technology: IGBT3 Medium Power
V[CE(sat)] max: 1.23V
V[CE] max: 650.0V
| 库存数量: |
I[C] max: 30.0A
V[DS] max: 650.0V
V[GE(th)] max: 5.6V
Technology: IGBT HighSpeed 3
V[CE(sat)] max: 2.32V
V[CE] max: 650.0V
| 库存数量: |