INFINEON

Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战: 高能效、 移动性和 安全性,为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称,并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。

IGC54T65R3QE

分类:
数据:
I[C] max:  100.0A
V[DS] max:  650.0V
V[GE(th)] max:  5.6V
Technology:  IGBT HighSpeed 3
V[CE(sat)] max:  2.22V
V[CE] max:  650.0V
库存数量:
询 价

IGC11T120T8L

分类:
数据:

简介: 1200 V power IGBT chip

I[C] max:  8.0A
V[DS] max:  1200.0V
V[GE(th)] max:  6.3V
Technology:  IGBT4 Low Power
V[CE(sat)] max:  2.07V
V[CE] max:  1200.0V
库存数量:
询 价

IGC50T120T8RQ

分类:
数据:
I[C] max:  50.0A
V[DS] max:  1200.0V
V[GE(th)] max:  6.3V
Technology:  IGBT HighSpeed 3
V[CE(sat)] max:  2.42V
V[CE] max:  1200.0V
库存数量:
询 价

IGC142T120T8RM

分类:
数据:
I[C] max:  150.0A
V[DS] max:  1200.0V
V[GE(th)] max:  6.3V
Technology:  IGBT4 Medium Power
V[CE(sat)] max:  1.74V
V[CE] max:  1200.0V
库存数量:
询 价

SIGC28T65E

分类:
数据:
I[C] max:  50.0A
V[DS] max:  650.0V
V[GE(th)] max:  6.4V
Technology:  IGBT3
V[CE(sat)] max:  1.77V
V[CE] max:  650.0V
库存数量:
询 价

IGC70T120T8RL

分类:
数据:

简介: 1200 V power IGBT chip

I[C] max:  75.0A
V[DS] max:  1200.0V
V[GE(th)] max:  6.3V
Technology:  IGBT4 Low Power
V[CE(sat)] max:  2.07V
V[CE] max:  1200.0V
库存数量:
询 价

SIGC39T65E

分类:
数据:
I[C] max:  75.0A
V[DS] max:  650.0V
V[GE(th)] max:  6.4V
Technology:  IGBT3
V[CE(sat)] max:  1.77V
V[CE] max:  650.0V
库存数量:
询 价

SIGC100T65R3E

分类:
数据:
I[C] max:  200.0A
V[DS] max:  650.0V
V[GE(th)] max:  6.4V
Technology:  IGBT3
V[CE(sat)] max:  1.2V
V[CE] max:  650.0V
库存数量:
询 价

SIGC158T120R3E

分类:
数据:
I[C] max:  150.0A
V[DS] max:  1200.0V
V[GE(th)] max:  6.5V
Technology:  IGBT3
V[CE(sat)] max:  2.1V
V[CE] max:  1200.0V
库存数量:
询 价

SIGC39T60E

分类:
数据:
I[C] max:  75.0A
V[DS] max:  600.0V
V[GE(th)] max:  6.5V
Technology:  IGBT3
V[CE(sat)] max:  1.85V
V[CE] max:  600.0V
库存数量:
询 价