INFINEON

Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战: 高能效、 移动性和 安全性,为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称,并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。

BSZ110N08NS5

分类:
数据:

简介: OptiMOS™ 5 power MOSFET 80V for telecom applications

R[th]:  2.5K/W
V[DS] max:  80.0V
P[tot] max:  50.0W
I[Dpuls] max:  160.0A
Q[G](typ @10V):  15.0nC
R[thJC] max:  2.5K/W
库存数量:
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IRL60HS118

分类:
数据:

简介: New logic level MOSFETs for low VGS

I[D ](@25°C) max:  18.5A
I[Dpuls] max:  56.0A
Mounting:  SMD
P[tot] max:  11.5W
Polarity:  N
Q[gd]:  2.1nC
库存数量:
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BSZ070N08LS5

分类:
数据:

简介: OptiMOS™ 5 power MOSFETs logic level provide low RDS(on) in a small package

I[Dpuls] max:  160.0A
Mounting:  SMD
P[tot] max:  69.0W
Pin Count:  8.0Pins
Polarity:  N
Q[G](typ @4.5V):  14.1nC
库存数量:
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IPB029N06NF2S

分类:
数据:

简介: StrongIRFET™ 2 single N-channel power MOSFET 60 V in D²PAK package

I[D ](@25°C) max:  120.0A
I[D ] max:  120.0A
I[Dpuls] max:  480.0A
Mounting:  SMD
Operating Temperature max:  175.0°C
P[tot] max:  150.0W
库存数量:
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BSZ100N06NS

分类:
数据:
V[DS] max:  60.0V
P[tot] max:  36.0W
I[Dpuls] max:  160.0A
Q[G](typ @10V):  12.0nC
R[th]:  3.5K/W
R[thJC] max:  3.5K/W
库存数量:
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BSZ075N08NS5

分类:
数据:

简介: Industry leading power MOSFET technology for telecom and server applications with OptiMOS™ 5 80V in S3O8 package

R[th]:  1.8K/W
V[DS] max:  80.0V
P[tot] max:  69.0W
I[Dpuls] max:  292.0A
Q[G](typ @10V):  24.0nC
R[thJC] max:  1.8K/W
库存数量:
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BSZ042N06NS

分类:
数据:
I[Dpuls] max:  392.0A
R[th]:  1.8K/W
P[tot] max:  69.0W
V[DS] max:  60.0V
Q[G](typ @10V):  27.0nC
Polarity:  N
库存数量:
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BSZ099N06LS5

分类:
数据:

简介: OptiMOS™ 5 power MOSFETs logic level provide low RDS(on) in a small package

I[Dpuls] max:  184.0A
Mounting:  SMD
P[tot] max:  36.0W
Pin Count:  8.0Pins
Polarity:  N
Q[G](typ @4.5V):  6.9nC
库存数量:
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IQE050N08NM5

分类:
数据:

简介: OptiMOS™ low-voltage power MOSFET 80 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down package with industry leading RDS(on) and superior thermal performance

I[D ](@25°C) max:  101.0A
Package:  PQFN 3.3x3.3 Source-Down
Polarity:  N
Q[G](typ @10V):  34.6nC
R[DS (on)](@10V) max:  5.0mΩ
V[DS] max:  80.0V
库存数量:
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ISZ034N06LM5

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数据:

简介: Performance improvements with best-in-class OptiMOS™ 5 power MOSFET 60V in high performance PQFN 3.3x3.3mm package

I[D ](@25°C) max:  112.0A
Package:  PQFN 3.3 x 3.3 Fused Lead
Polarity:  N
Q[G](typ @4.5V):  20.0nC
Q[G](typ @10V):  40.0nC
R[DS (on)](@10V) max:  3.4mΩ
库存数量:
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