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Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战： 高能效、 移动性和 安全性，为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称，并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。
IQDH88N06LM5SC
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简介: OptiMOS™ power MOSFETs 60 V in PQFN 5x6 Source-Down DSC package with industry-leading RDS(on).
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IQDH88N06LM5CGSC
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简介: OptiMOS™ power MOSFETs 60 V in PQFN 5x6 Source-Down Center-Gate DSC package with industry-leading RDS(on)
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IQD016N08NM5CGSC
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简介: OptiMOS™ power MOSFETs 80 V in PQFN 5x6 Source-Down Center-Gate DSC package with very low RDS(on)
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IQD009N06NM5SC
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简介: OptiMOS™ power MOSFETs 60 V normal-level in PQFN 5x6 Source-Down DSC package with industry-leading RDS(on).
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IQD009N06NM5CGSC
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简介: OptiMOS™ power MOSFETs 60 V normal-level in PQFN 5x6 Source-Down Center-Gate DSC package with industry-leading RDS(on)
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IQD016N08NM5SC
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简介: OptiMOS™ power MOSFETs 80 V in PQFN 5x6 Source-Down DSC package with very low RDS(on).
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IQD063N15NM5CGSC
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简介: OptiMOS™ power MOSFETs 150 V in PQFN 5x6 Source-Down Center-Gate DSC package with industry-leading RDS(on)
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IQD063N15NM5SC
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简介: OptiMOS™ power MOSFETs 150 V in PQFN 5x6 Source-Down DSC package with industry-leading RDS(on).
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IQD020N10NM5CGSC
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简介: OptiMOS™ power MOSFETs 100 V in PQFN 5x6 Source-Down Center-Gate DSC package with industry-leading RDS(on)
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IQD020N10NM5SC
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简介: OptiMOS™ power MOSFETs 100 V in PQFN 5x6 Source-Down DSC package with industry-leading RDS(on).
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