INFINEON

Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战：高能效、移动性和安全性，为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称，并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。

IQE220N15NM5

分类:
数据:

简介: OptiMOS™ 5 low-voltage power MOSFET 150 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down package

I[D ](@25°C) max: 44.0A

I[Dpuls] max: 176.0A

Operating Temperature max: 175.0°C

P[tot] max: 100.0W

Package: PQFN 3.3x3.3 Source-Down

Polarity: N

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IQD020N10NM5CG

分类:
数据:

简介: OptiMOS™ power MOSFETs 100 V in PQFN 5x6 mm2 Source-Down package with industry leading RDS(on) .

I[D ](@25°C) max: 273.0A

I[Dpuls] max: 1092.0A

Operating Temperature max: 175.0°C

Package: PQFN 5x6 Source-Down

Polarity: N

Q[G](typ @10V): 107.0nC

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IQD063N15NM5CG

分类:
数据:

简介: OptiMOS™ power MOSFETs 150 V in PQFN 5x6 mm2 Source-Down package with industry-leading RDS(on) .

I[D ](@25°C) max: 148.0A

I[Dpuls] max: 592.0A

Operating Temperature max: 150.0°C

Package: PQFN 5x6 Source-Down

Polarity: N

Q[G](typ @10V): 48.0nC

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BSZ900N20NS3G

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数据:

I[Dpuls] max: 61.0A

R[th]: 2.5K/W

P[tot] max: 62.5W

V[DS] max: 200.0V

Q[G](typ @10V): 8.7nC

Polarity: N

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ISG0616N10NM5HSC

分类:
数据:

简介: OptiMOS™ 5 dual n-channel 100 V MOSFETs in scalable power block with dual-side cooling capability

I[D ](@25°C) max: 139.0A

Operating Temperature max: 175.0°C

Package: Power Block 6.3x6

Polarity: N

Q[G](typ @10V): 52.0nC

R[DS (on)](@10V) max: 4.0mΩ

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IRF7853

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简介: 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free SO-8 Package

Moisture Sensitivity Level: 1

Mounting: SMD

Polarity: N

P[tot](@ T[A]=25°C) max: 2.5W

R[thJA] max: 50.0K/W

V[DS] max: 100.0V

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ISC027N10NM6

分类:
数据:

简介: OptiMOS™ 6 power MOSFET 100 V Normal Level in SuperSO8 package

I[D ](@25°C) max: 192.0A

I[D ] max: 192.0A

I[Dpuls] max: 768.0A

Mounting: SMT

P[tot] max: 217.0W

Pin Count: 8.0Pins

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BSC146N10LS5

分类:
数据:

简介: OptiMOS™ 5 power MOSFETs in logic level provide low RDS(on) in a small package

I[D ](@25°C) max: 44.0A

I[D ](@ T[C]=25°C) max: 44.0A

I[Dpuls] max: 176.0A

P[tot] max: 52.0W

Polarity: N

Q[G](typ @4.5V): 8.0nC

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ISC022N10NM6

分类:
数据:

简介: OptiMOS™ 6 power MOSFET 100 V Normal Level in SuperSO8 package

I[D ](@25°C) max: 230.0A

I[D ] max: 230.0A

I[Dpuls] max: 920.0A

Mounting: SMT

P[tot] max: 254.0W

Package: SuperSO8 5x6

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BSC600N25NS3G

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数据:

I[Dpuls] max: 100.0A

R[th]: 1.0K/W

P[tot] max: 125.0W

V[DS] max: 250.0V

Q[G](typ @10V): 22.0nC

Polarity: N

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